中村修二

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中村修二
中村 修二(なかむら しゅうじ)
出生 1954年05月22日 (1954-05-22)(60歲)
日本愛媛縣西宇和郡瀬戶町日语瀬戸町 (愛媛県)[1]
居住地 日本美國
国籍  日本
研究領域 电子工程
任职於 日亞化學工業日语日亜化学工業
加州大學聖塔芭芭拉分校
母校 德島大學
著名成就 發明「藍色發光二極體
獲獎 應用物理學會論文獎 (1994)
IEEE/LEOS 工程成就獎 (1996)
仁科芳雄獎 (1996)
大河内紀念獎日语大河内記念会 (1997)
MRS Medal Award (1997)
IEEE Jack A. Morton Award (1998)
C&C獎 (1998)
英國Ranking獎 (1998)
本田獎 (2000)
Carl Zeis Research Award (2000)
朝日獎 (2001)
富蘭克林獎章英语Benjamin Franklin Medal (Franklin Institute) (2002)
千禧年科技獎 (2006)
阿斯图里亚斯亲王奖学術・技術研究部門 (2008)
哈維獎英语Harvey Prize (2009)
第63回艾美奖技術開發部門 (2011)
日語寫法
日語原文 中村 修二
假名 なかむら しゅうじ
平文式罗马字 Nakamura Shūji

中村修二日语中村 修二なかむら しゅうじ Nakamura Shūji ?,1954年5月22日),日本电子工程學家,高亮度藍色發光二極體與青紫色激光二極管的發明者,世稱「藍光之父」。現任美國加州大學聖塔芭芭拉分校教授(Professor of Materials & ECE, Director of Solid State Lighting & Energy Center)、愛媛大學客座教授。

2009年,中村修二獲得日本人首座哈維獎英语Harvey Prize

生平[编辑]

1973年愛媛縣立大洲高等學校日语愛媛県立大洲高等学校畢業,1977年德島大學工學部電氣工程科畢業,1979年獲得工學碩士學位(德島大學)。完成學業後,中村修二原定進入京瓷公司。但為照顧大學時代出生的孩子,改入鄰近的日亞化學工業日语日亜化学工業公司,在開發課工作。

日亞時期,中村修二竭力主張開發藍色激光二極管的前景,日亞因此撥給中村3億日圓的研發經費。赴美國佛罗里达大学留學一年後,中村回到日亞,投入2億日圓著手改造MOCVD裝置,但公司制止了此一研究。

其後,中村發明了以GaN(氮化鎵)晶體製作藍色發光元件的Tsufuro MOCVD日语ツーフローMOCVD法。Tsufuro MOCVD法即通稱的404專利日语404特許,圍繞著專利與專利轉讓問題,中村與日亞展開了一系列訴訟。

在訴訟中,日亞宣稱Tsufuro MOCVD毫無價值,不待訴訟結束,日亞就願意將專利權讓給中村。東京高等法院因此做出「建議和解」的裁決,對此,中村及其律師在記者會抨擊「日本司法已徹底腐爛」[2]

中村於1999年離開日亞公司。其後在加州大學聖塔芭芭拉分校(UCSB)校長杨祖佑的強力邀請下,於2000年進入UCSB,擔任教授。

榮譽[编辑]

著作[编辑]

單人著作[编辑]

共同著作[编辑]

參見[编辑]

參考資料[编辑]

  1. ^ #中村 (2002) p.106
  2. ^ この発言に対し、通常では和解内容は非公開であることが原則であるが、和解による結審において高裁裁判所の見解が別途述べられるという異例ずくめの控訴審となった。

外部链接[编辑]