低介电常数材料

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低介电常数材料或称low-K材料是当前半导体行业研究的热门话题。通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数,可以降低集成电路的漏电电流,降低导线之间的电容效应,降低集成电路发热等等。低介电常数材料的研究是同高分子材料密切相关的。传统半导体使用二氧化硅作为介电材料,氧化硅的介电常数约为4。真空的介电常数为1,干燥空气的介电常数接近于1。

SiLK[编辑]

SiLK是Dow Chemical开发的一种低介电常数材料,目前广泛用于集成电路生产。目前已知SiLK是一种高分子材料,但是具体结构仍然是秘密。SiLK的介电常数为2.6。

目前已知SiLK是一种芳香族热固性有机材料,含不饱和键,不含,不含。SiLK以寡聚物溶液的形式提供,通过spin coating到硅片上后在氮气下加热到320摄氏度去除溶剂并初步交联。最终需要在400摄氏度以上保温来完成交联。

基于硅基高分子的低介电常数材料[编辑]

基于硅基高分子的低介电常数材料包括hydrogen silsesquioxane(HSQ)和methylsilsesquioxane(MSQ)。

FOx[编辑]

FOx是Dow Corning开发的基于HSQ的低介电常数材料, k = 2.9。[1]

MSQ[编辑]

MSQ是methylsilsesquioxane的缩写,这是一种硅基高分子材料。

多孔SiLK与多孔MSQ[编辑]

通过在SiLK中添加纳米级空洞可以进一步降低介电常数。目前多孔SiLK的介电常数为2.2。

MSQ是methylsilsesquioxane的缩写,这是一种硅基高分子材料,通过在MSQ中添加纳米级空洞,Porous MSQ的介电常数可以达到2.2-2.5。

纳米级空洞通常是通过合成嵌段共聚物的办法来实现的。

MSQ通常以溶液的形式提供,通过Spin coating的办法分布的硅片上后在保护性气氛下加热交联,去除空洞发生集团。最终形成类二氧化硅的多孔结构。

多孔SiLK和多孔MSQ的对比[编辑]

多孔SiLK的机械性能优于多孔MSQ。但是多孔MSQ的结构接近于二氧化硅,同传统集成电路生产工艺处理方法接近。

Nanoglass[编辑]

Nanoglass是Nanopore同Honeywell推出的基于气凝胶的低介电常数材料。Nanoglass所报道的最低介电常数为k=1.3。

HOSP[编辑]

HOSP是Honeywell推出的基于有机物和硅氧化物的混合体的低介电常数材料。

基于碳搀杂氧化硅的低介电常数材料[编辑]

基于碳搀杂氧化硅的低介电常数材料通常使用化学气相沉积,因此同传统半导体工艺接近。

Black Diamond[编辑]

Black Diamond是应用材料公司推出的基于化学气相沉积碳搀杂氧化硅的低介电常数材料。k=2.7。[2]

Black Diamond是现在使用最多的低介电常数材料。[3] 有报道暗示Black Diamond的K值可以达到2.4。[4]

Coral[编辑]

Novellus推出的基于化学气相沉积碳搀杂氧化硅的低介电常数材料。k=2.7。[5]

Aurora[编辑]

ASM International推出的基于化学气相沉积碳搀杂氧化硅的低介电常数材料。k=2.7。[6]

Aurora是英特尔在其90和65nm生产线中使用的材料。[7]

参考[编辑]

Honeywell 低介电常数材料产品

Dow SiLK网站