共基極

圖1. 基本的 NPN 共基極電路 (忽略 biasing 細節)。

在電子學裡，共基極放大器是三個基本單級BJT放大器結構的其中一種，通常被使用於電流緩衝或電壓放大器。在這個電路中，射極作為輸入端，集極作為輸出端，基極為共用端（它可能接地，或是接到電源）。類似在場效電晶體電路的共閘極（common gate）。

應用 [编辑]

這種佈置方式在低頻迴路上不是很常見，低頻迴路通常是給需要非常低的輸入阻抗的放大器用的，例如作為動圈式麥克風的前置放大器。然而，它在高頻放大器上卻很常見，例如在甚高頻和特高頻中，這是因為它的輸入電容不會受密勒效應影響（密勒效應會降低共射極配置的頻寬），亦因為其在輸入和輸出間相對高的絕緣性而受用。這麼高的絕緣性表示輸出端只會有很少的反饋回到輸入端，導致極高的穩定性。

這種配置作為電流緩衝器也很有用，因為它有大約一致的電流增益（current gain，公式見下）。通常一個普通的基底會以這種方式使用，其前為一個共發射極級（common-emitter stage）。這兩者自共源共柵（cascode）配置的組合有著幾個個別配置的優點，例如高輸入阻抗和絕緣。

低頻特性 [编辑]

在低頻和小信號的狀況下，第一條式子裡的迴路可以由第二式中的來代表，第二式中由雙極性電晶體的 hybrid-pi model 運作。輸入訊號由戴維寧電壓源 v_s 以及一系列電阻 R_s 表示，而負載是電阻器 R_L。這迴路可以用來獲取接著的共基極放大器（common-base amplifier）的特性。

	定義	表達式	近似表達式	條件
開路電壓增益	${A_{v}} = \begin{matrix} {v_\mathrm{o} \over v_\mathrm{i}} \end{matrix} \Big\|_{R_{L}=\infty}$	$\begin{matrix} \frac {(g_m r_\mathrm{O}+1)R_C} {R_C+r_O} \end{matrix}$	$\begin{matrix} g_m R_C \end{matrix}$	$r_O \gg R_C$
短路電流增益	$A_{i} = \begin{matrix} {i_\mathrm{o} \over i_\mathrm{i}} \end{matrix} \Big\|_{R_{L}=0}$	$\begin{matrix} \frac {r_{ \pi }+ \beta r_O} {r_{ \pi} +( \beta +1)r_O} \end{matrix} \begin{matrix} \end{matrix}$	$1$	$\beta \gg 1$
輸入阻抗	$R_\mathrm{in} = \begin{matrix} \frac{v_{i}}{i_{i}} \end{matrix}$	$\begin{matrix} \frac {(r_O+R_C\\|R_L)r_E} {r_O+r_E +\frac {R_C\\|R_L} { \beta +1}} \end{matrix}$	$r_E \left( \approx \frac {1}{g_m}\right)$	$r_O \gg R_C\\|R_L \ \ \left( \beta \gg 1 \right)$
輸出阻抗	$R_\mathrm{out} = \begin{matrix} \frac{v_{o}}{-i_{o}} \end{matrix} \Big\|_{v_{s}=0}$	$R_C \\| \{[1+g_m (r_{\pi}\\|R_S) ]r_O +(r_{\pi}\\|R_S)\}$	$R_C \|\| r_O$ $R_C \|\| \left[ (r_{ \pi}//R_S)(1+g_mr_O) \right]$	$\ \ R_S \ll r_E$ $\ \ R_S \gg r_E$