半导体材料

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半导体材料是导电能力介于导体绝缘体之间的一类固体材料。

发展[编辑]

  • 1833年,英國的法拉第(Michael Faraday)發現的其中一種半導體材料:硫化銀,因為它的電阻隨著溫度上升而降低。
  • 1874年,德國的布勞恩(Ferdinand Braun),注意到硫化物的電導率與所加電壓的方向有關,這就是半導體的整流作用。
  • 1947年12月23日,巴丁与布拉坦(Walter Brattain)進一步使用點接觸電晶體製作出一個語音放大器,電晶體正式發明。
  • 1958年9月12日,德州的基尔比(Jack Kilby),細心地切了一塊鍺作為電阻,再用一塊pn接面做為電容,製造出一個震盪器的電路。
  • 1970年,超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。

分类[编辑]

以原料分为:

  • 元素半导体材料:以单一元素组成的半导体,属于这一材料的有金刚石、灰锡、等,其中以锗、硅、锡研究较早,制备工艺相对成熟。
  • 复合半导体材料:由两种或两种以上无机物化合成的半导体,种类繁多,已知的二元化合物就有数百种。
    • 三五半导体:由Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成,比如砷化鎵(GaAs);它们都具有闪锌矿结构,在应用方面仅次于Ge、Si。
    • 二六半导体:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物,是一些重要的光电材料;ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。
    • 四六半导体:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。