单粒子翻转

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单粒子翻转英文缩写SEUSingle-Event Upsets),航天电子学术语,原因是在空间环境下存在着大量高能带电粒子,计算机中的CMOS电子元器件受到地球磁场宇宙射线等照射,引起电位状态的跳变,“0”变成“1”,或者“1”变成“0”,但一般不会造成器件的物理性损伤。

单粒子翻转指标用单粒子翻转率来描述,单粒子翻转率是器件每天每位发生单粒子翻转的概率,计算质子单粒子翻转率的一般性公式:

R_p=\int_{E_0}^{\infty} \sigma_p(E)\varphi(E)\, dE  (SEU/bit \cdot d) 其中:E_0为阈值能量,单位MeV;\sigma_p(E)为质子单粒子翻转截面积,单位cm^2/bit\varphi(E)为质子微分流量。