双晶体管随机存储器

维基百科,自由的百科全书
跳转至: 导航搜索
存储设备

双晶体管随机存储器英语Twin Transistor random access memory,缩写:TTRAM)是一种新型的计算机存储设备,由瑞萨电子研发。

在概念上,双晶体管随机存储器类似传统的单晶体管、单电容动态随机存取存储器(DRAM),但是通过SOI加工技術中固有的浮体效应(Float body effect),从而避免使用电容。

外部链接[编辑]