双晶体管随机存储器

存储设备

易失性存储器 SRAM DRAM SDRAM DDR DDR2 DDR3 GDDR 发展中 Z-RAM TTRAM 历史上 延迟线存储器 选数管 威廉姆斯管 非易失性存储器 ROM PROM EPROM EEPROM 闪存 发展中 FeRAM MRAM PRAM CBRAM SONOS RRAM NRAM Millipede 历史上 磁芯記憶體 磁鼓存储器 磁镀线存储器 磁泡存储器 磁扭线存储器

双晶体管随机存储器（英语：Twin Transistor random access memory，缩写：TTRAM）是一种新型的计算机存储设备，由瑞萨电子研发。

在概念上，双晶体管随机存储器类似传统的单晶体管、单电容的动态随机存取存储器（DRAM），但是通过SOI加工工艺中固有的浮体效应（Float body effect），从而避免使用电容。

外部链接

• Renesas develops capacitor-less TTRAM
• Renesas Technology develops capacitorless twin-transistor RAM, enabling faster, more power-efficient embedded memory for SoC devices