可變電阻式記憶體

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可變電阻式記憶體英语Resistive random-access memory,縮寫為 RRAMReRAM),是一種新型的非揮發性記憶體。類似的技術還有CBRAM相變化記憶體,目前許多公司都正在發展這種技術。

ReRAM的優點在於消耗電力較低,且寫入資訊速度比NAND快閃記憶體快1萬倍。蔡少棠認為,可變電阻式記憶體將會是一種憶阻器的形式。

技術簡介[编辑]

歷史[编辑]