可變電阻式記憶體

存储设备

易失性存储器 SRAM DRAM SDRAM DDR DDR2 DDR3 GDDR 发展中 Z-RAM TTRAM 历史上 延迟线存储器 选数管 威廉姆斯管 非易失性存储器 ROM PROM EPROM EEPROM 闪存 发展中 FeRAM MRAM PRAM CBRAM SONOS RRAM NRAM Millipede 历史上 磁芯記憶體 磁鼓存储器 磁镀线存储器 磁泡存储器 磁扭线存储器

可變電阻式記憶體（英语：Resistive random-access memory，縮寫為 RRAM 或ReRAM），是一種新型的非揮發性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體，目前許多公司都正在發展這種技術。

ReRAM的優點在於消耗電力較低，且寫入資訊速度比NAND快閃記憶體快1萬倍。