外延 (晶体)

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外延英语Epitaxy)是指一種用於半導體器件製造過程中,在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長(Epitaxial Growth),或指以外延技術成長出的結晶,有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。

外延技術可用以製造電晶體CMOS積體電路等各種元件,但在製作化合物半導體例如砷化鎵時,外延尤其重要。

外延成長技術的種類[编辑]

參考文獻[编辑]

  • Jaeger, Richard C. Film Deposition//Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1. 

外部鏈接[编辑]

 
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