外延 (晶体)

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外延英语Epitaxy),是指一種用於半導體器件製造過程中,在原有晶片上長出新結晶,以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長(Epitaxial Growth);或指以外延技術成長出的結晶,有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。

外延技術可用以製造矽電晶體到 CMOS 積體電路等各種元件,但在製作化合物半導體例如砷化鎵時,外延尤其重要。

[编辑] 外延成長技術的種類

主条目:化学气相沉积
在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的技術。 參見真空蒸鍍技術。
  • 液相外延法,或稱液態外延技術,英文: Liquid Phase Epitaxy (LPE)
  • 固相外延,英文: Solid Phase Epitaxy (SPE)
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