外延 (晶体)
维基百科，自由的百科全书
 |
本条目没有列出任何参考或来源。（2011年4月6日） |
外延（英语：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶，以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth）；或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。
外延技術可用以製造矽電晶體到 CMOS 積體電路等各種元件，但在製作化合物半導體例如砷化鎵時，外延尤其重要。
外延成長技術的種類[编辑]
- 化學氣相沉積法，英文： Chemical Vapor Deposition (CVD)
- 在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的技術。 參見真空蒸鍍技術。
- 液相外延法，或稱液態外延技術，英文： Liquid Phase Epitaxy (LPE)
- 固相外延，英文： Solid Phase Epitaxy (SPE)
參考文獻[编辑]
- Jaeger, Richard C. Film Deposition//Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.
外部鏈接[编辑]
- epitaxy.net: a central forum for the epitaxy-communities
- Deposition processes
 |
這是一篇小作品，你可以通过编辑或修订扩充其内容。 |
