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小注入

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小注入英语low level injection)是形成PN结的一种工作条件。在N型半导体中,当注入半导体材料的非平衡电子(通过光照注入、电注入等方法引入的两种载流子——电子、空穴总是成对出现)的浓度小于平衡时导带中电子的浓度时,我们称这种方法为小注入。对于P型半导体,则需要比较非平衡空穴与平衡时的空穴的浓度。在小注入的情况下,多数载流子的复合率为线性。[1]

参考文献[编辑]

  1. ^ Jenny Nelson, The Physics of Solar Cells, Imperial College Press, UK, 2007 pp. 266-267