施敏

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施敏英语Simon Sze,1936年),生於中國南京,在台灣長大,著名半導體學者,中央研究院院士,曾任職於美國貝爾實驗室與台灣交通大學電子工程系教授,現任國立交通大學榮譽講座教授以及美國史丹福大學電機系顧問教授。他與姜大元英语Dawon_Kahng發明並實作了第一個非揮發性記憶體(non-volatile semiconductor memory,NVSM)[1]

生平[编辑]

其父施家福是礦冶專家,在國共內戰期間,被調派至基隆金瓜石,全家因而來到台灣。

  • 1957年,施敏畢業於台灣大學,之後至美國留學。
  • 1960年,取得華盛頓大學碩士學位。
  • 1963年,取得史丹福大學電機博士學位。畢業後進入貝爾實驗室工作(1963~1989)。
  • 1967年5月,與韓裔美國人的姜大元在《貝爾系統科技雜誌》發表第一篇關於非揮發性記憶體的論文「浮閘非揮發性半導體記憶體細胞元件」[2],隨後由貝爾實驗室取得專利。撰寫《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)。
  • 1968年,回台灣交通大學擔任董浩雲講座教授一年。並創辦台灣第一家半導體公司「環宇電子」。
  • 1969年,《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)第一版出版。[3]
  • 1981年,《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)第二版出版。
  • 1989年,貝爾實驗室退休。
  • 1990年,開始於交通大學電子工程系任教。
  • 1991年,獲選IEEEJ J Ebers獎英语J J Ebers Award[4]

中央研究院院士、美國國家工程院院士及中國工程院外籍院士。

著作[编辑]

他所著的《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices) 是目前是全世界所有工程及應用科學領域最暢銷的書之一,曾被翻譯成六種語言,銷售超過100萬冊,被引用次數達兩萬多次,有「半導體界的聖經」之稱。

參考文獻[编辑]

  1. ^ 浮閘非揮發性半導體記憶體英语Floating-gate transistor,其架構類似常規MOSFETFloating Gate,pdf,施敏,第19卷1奈米通訊,2012,國家奈米元件實驗室財團法人國家實驗研究院
  2. ^ D. Kahng and S. M. Sze, A floating-gate and its application to memory devices, The Bell System Technical Journal, 46, #4 (1967), pp. 1288–1295.
  3. ^ 王麗娟. 施敏與數位時代的故事. 宏津數位科技. 2013-06-21. ISBN 9789868959002 (中文(台灣)‎). 
  4. ^ Past J.J. Ebers Award Winners, web page at the IEEE, accessed 2013-08-27
  5. ^ 外籍院士名单. 中國工程院. [2013-08-27] (中文(中国大陆)‎). 

外部連結[编辑]