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栅氧化层

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CMOS的截面图

栅氧化层英语gate oxide),是用来把CMOS栅极与下方源极漏极以及源漏极间导电沟道隔离开来的氧化介质层(如右图)。通过将沟道上方的氧化为二氧化硅,栅氧化层得以形成,其厚度大约为5到200纳米,这层物质为绝缘体。栅氧化层上方为导电的栅极材料。栅氧化层充当了介质层,使得栅极能够维持1到5毫伏每立方米的纵向电场,这个电场可以用来控制下方沟道的导通和关断。

参考文献[编辑]

  • Michael Quirk, Julian Serda. 半导体制造技术(原书名:Semiconductor Manufacturing Technology). 电子工业出版社. 2005. ISBN 7-5053-9493-2.