浮体效应

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浮体效应英语Floating body effect)是在SOI技术中实现的晶体管与体势(body potential)相关的效应。晶体管在绝缘体层上形成一个电容。这个电容上聚集的电荷可能会产生负面效应,例如,开启结构上的寄生晶体管和关态泄漏电流(off-state leakages),造成更高的电流消耗,以防动态随机存取存储器丢失信息。它也造成历史效应(英语history effect),即晶体管与之前状态阈值电压有关的效应。在模拟电路器件中,浮体效应被称作扭结效应英语Kink effect)。

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