砷化铟

维基百科,自由的百科全书
跳转至: 导航搜索
砷化铟[1]
IUPAC名
Indium(III) arsenide
别名 Indium monoarsenide
识别
CAS号 1303-11-3
PubChem 91500
ChemSpider 82621
SMILES
InChI
InChIKey RPQDHPTXJYYUPQ-FVESRWMKAB
性质
化学式 InAs
摩尔质量 189.740 g/mol g·mol⁻¹
密度 5.67 g/cm3
熔点 942°C
能隙 0.354 eV (300 K) eV
电子迁移率 40000 cm2/(V*s)
熱導率 0.27 W/(cm*K) (300 K)
折光度n
D
3.51
结构
晶体结构 立方ZnS结构[2]
热力学
ΔfHmo298K -58.6 kJ·mol-1
So298K 75.7 J·mol-1·K-1
热容 47.8 J·mol-1·K-1
危险性
警示术语 R:R23/25, R50/53
安全术语 S:S1/2, S20/21, S28, S45, S60, S61
欧盟分类 有毒(T)
对环境有害(N)
NFPA 704
NFPA 704.svg
0
4
0
 
相关物质
其他阴离子 磷化铟
锑化铟
其他阳离子 砷化镓
若非注明,所有数据均出自一般条件(25 ℃,100 kPa)下。

砷化铟是一种无机化合物,化学式InAs,是一种半导体材料。它是灰色的立方晶体,熔点942 °C。[3]

结构[编辑]

砷化铟是立方ZnS结构,没有对称中心,所以[111]和[\overline{1 1 1}]晶面是不等价的[2]

参考资料[编辑]

  1. ^ Lide, David R., Handbook of Chemistry and Physics 87, Boca Raton, FL: CRC Press, 4–61, 1998, ISBN 0-8493-0594-2 
  2. ^ 2.0 2.1 《无机化学丛书》.第四卷 氮 磷 砷分族. 张青莲 主编. 科学出版社. 2.2.2 砷与p区元素的金属互化物. P300
  3. ^ Thermal properties of Indium Arsenide (InAs). [2011-11-22].