羅伯特·丹納德

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羅伯特·海思·丹納德
Robert H. Dennard
Robert Dennard.jpg
羅伯特·海思·丹納德博士,IBM院士,圖中背後圖形為動態隨機存取記憶體(DRAM)記憶單元的電路圖
出生 1932年9月5日(1932-09-05)
 美國德克薩斯州特雷爾
居住地  美國
公民权  美國
国籍  美國
研究領域 電機工程
任职於 IBM
母校 南方衛理公會大學
卡內基技術學院
著名成就 動態隨機存取記憶體(DRAM)
獲獎 哈維獎英语Harvey Prize(1990)
IEEE愛迪生獎章(2001)
IEEE榮譽獎章(2009)

羅伯特·海思·丹納德英语Robert Heath Dennard,1932年9月5日),生於美國德克薩斯州特雷爾(Terrell),電機工程師與發明家,為隨機存取記憶體(DRAM)的發明者。

生平[编辑]

1954年,於達拉斯南方衛理公會大學取得電機工程學士,1956年取得碩士學位。1958年,於卡內基技術學院卡内基梅隆大學的前身)取得博士學位。畢業後,進入IBM工作。

1968年,發明隨機存取記憶體。1970年代與1980年代,投入MOSFET的微縮方程式(scaling equations)研發。

榮譽[编辑]

2013年,獲得日本京都賞先進技術獎。

外部連結[编辑]