金属半导体场效应管

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金属半导体场效应管的结构

金属半导体场效应管英语metal semiconductor field effect transistor, MESFET),简称金半场效应管,是一种在结构上与结型场效应管类似,不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极,而是采用金属半导体接触结,构成肖特基势垒的方式形成栅极。金属半导体场效应管通常由化合物半导体构成,例如砷化镓磷化铟碳化硅等,它的速度比由硅制造的结型场效应管或MOSFET更快,但是造价相对更高。金属半导体场效应管的工作频率最高可以达到45 GHz左右,[1]微波频段的通信雷达等设备中有着广泛应用。第一个金属半导体场效应管在1966年被发明,其良好的极高频性能在随后的一年即展现出来。[2]在数字电路设计领域,由于数字集成电路的集成度不断提高,因此使用金属半导体场效应管并不如CMOS

参考文献[编辑]

  1. ^ Lepkowski, W.; Wilk, S.J.; Thornton, T.J., 45 GHz Silicon MESFETs on a 0.15 μm SOI CMOS Process, SOI Conference, 2009 IEEE International. Foster City, CA. 2009: 1–2, ISBN 978-1-4244-4256-0, ISSN 1078-621X 
  2. ^ GaAs FET MESFET radio-electronics.com.

相关条目[编辑]