非晶硅

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非晶硅(Amorphous silicon, a-Si),又名无定形硅,是的一种同素异形体晶体硅通常呈正四面体排列,每一个原子位于正四面体的顶点,并与另外四个硅原子以共价键紧密结合。这种结构可以延展得非常庞大,从而形成稳定的晶格结构。而无定性硅不存在这种延展开的晶格结构,原子间的晶格网络呈无序排列。换言之,并非所有的原子都与其它原子严格地按照正四面体排列。由于这种不稳定性,无定形硅中的部分原子含有悬空键(dangling bond)。这些悬空键作为导体的性质有很大的负面影响。然而,这些悬空键可以被所填充,经氢化之后,无定形硅的悬空键密度会显著减小,并足以达到半导体材料的标准。但很不如愿的一点是,在光的照射下,氢化无定形硅的导电性能将会显著衰退,这种特性被称为SWE效应(Staebler-Wronski Effect).

美国科学家Stanford R. Ovshinsky拥有许多关于无定形硅的专利,包括半导体太阳能电池等。它们的成本较相应的晶体硅制成品要低很多。

此外,无定形硅可用作熱成像照相机(Thermal Camera)中的微辐射探测仪(microbolometer)。

參考[编辑]

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