| “外延 (晶体)”的各地常用名称 |
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| 中国大陆 | 外延 |
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| 台湾 | 磊晶[1] |
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外延（英语：Epitaxy），是指一种用于半导体器件制造过程中，在原有芯片上长出新结晶以制成新半导体层的技术。此技术又称外延成长（Epitaxial Growth），或指以外延技术成长出的结晶，有时可能也概指以外延技术制作的晶粒。
外延技术可用以制造硅晶体管到CMOS集成电路等各种组件，尤其在制作化合物半导体例如砷化镓外延晶圆时，外延尤其重要。
外延成长技术的种类[编辑]
- 化学气相沉积
- 分子束外延技术：在高度真空下在表面沉积新的半导体结晶层的外延技术，相关可见真空蒸镀技术。
- 液相外延或称液态外延（英语：Liquid Phase Epitaxy, LPE）的外延技术
- 固相外延（英语：Solid Phase Epitaxy, SPE）的外延技术
参考来源[编辑]
- 文献
- Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.
- 引用
外部链接[编辑]
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