氧化铟镓锌
氧化铟镓锌（英语：indium gallium zinc oxide，缩写：IGZO）是一种LCD薄膜电晶体显示器技术，IGZO结晶最初由君冢昇于1985年合成[1]，1990年代由东京工业大学教授细野秀雄与日本科学技术振兴机构（JST）共同开发成IGZO透明不定形氧化物半导体技术[2]。IGZO技术可提高面板解析度同时又降低成本，但IGZO面板对光、水以及氧都相当敏感，耐用度上只能用做民间消费品，不能用于高可靠度的军用或工业环境。
IGZO与非晶矽相比能够缩小电晶体尺寸，提高液晶面板画素的开口率，较易实现解析度高出一倍，电子迁移率快十倍，成为OLED技术的最大对手。
日本科学技术振兴机构（JST）把技术专利于2011年授权予三星电子[3]，2012年夏普(Sharp)亦获得授权[4]。
LTPS（低温多矽显示面板）的表现在某些方面比IGZO更佳（如电子迁移率比IGZO快约十倍），但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本，在中大尺寸面板上使用IGZO技术的成本则比使用LTPS低很多。
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参考文献[编辑]
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