光登伯效應
光登伯效應（英語：photo-Dember effect)，半導體受飛秒激光激發後，發出帶電的電磁輻射，這是由於極快電子-空穴對在很強載流子梯度而造成的。同時，由於電子和空穴的遷移率不同，破壞了表面的對稱性，半導體表面附近形成垂直表面的電偶極矩（正極在下，負極在上）。這種效應，稱為光登伯效應。它是美國物理學家亨利·登伯於1931年發現的[1]。
光登伯效應的主要應用之一是用來產生太赫茲脈衝輻射或太赫茲時間範疇譜儀。大多數半導體都具有光登伯效應，但在狹帶隙半導體，如InAs 和InSb ，它們具有較高的電子遷移率，而光登伯效應較強。
近來已有人能做出與激化面平行的極化面光登伯效應[2]。