| 「磊晶 (晶體)」的各地常用名稱 |
|---|
| 中國大陸 | 外延 |
|---|
| 臺灣 | 磊晶[1] |
|---|
磊晶（英語：Epitaxy），是指一種用於半導體元件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱磊晶成長（Epitaxial Growth），或指以磊晶技術成長出的結晶，有時可能也概指以磊晶技術製作的晶粒。
磊晶技術可用以製造矽電晶體到CMOS集成電路等各種元件，尤其在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓時，磊晶尤其重要。
磊晶成長技術的種類[編輯]
- 化學氣相沉積
- 分子束磊晶技術：在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術，相關可見真空蒸鍍技術。
- 液相磊晶或稱液態磊晶（英語：Liquid Phase Epitaxy, LPE）的磊晶技術
- 固相磊晶（英語：Solid Phase Epitaxy, SPE）的磊晶技術
參考來源[編輯]
- 文獻
- Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1.
- 引用
外部連結[編輯]
| |  Search Wikimedia Commons | |
維基共享資源中相關的多媒體資源：
|
|
