異丁基鍺烷
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| 異丁基鍺烷 | |
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| IUPAC名 isobutylgermane | |
| 別名 | Isobutylgermanium trihydride |
| 識別 | |
| CAS號 | 768403-89-0 
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| ChemSpider | 21389305 |
| SMILES |
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| InChI |
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| InChIKey | PILXXBFWCYMNMX-UHFFFAOYAD |
| 性質 | |
| 化學式 | C4H12Ge |
| 摩爾質量 | 132.78 g·mol⁻¹ |
| 外觀 | 無色透明液體 |
| 密度 | 0.96 g/mL |
| 熔點 | < -78 °C |
| 沸點 | 66 °C |
| 溶解性（水） | 不溶於水 |
| 相關物質 | |
| 相關化學品 | GeH4 |
| 若非註明，所有數據均出自標準狀態（25 ℃，100 kPa）下。 | |
異丁基鍺烷（IBGe，化學式：(CH3)2CHCH2GeH3）是一種有機鍺化合物。它是一種無色不穩定的液體，用於有機金屬化學氣相沉積法。在張力矽的應用中，異丁基鍺烷用於形成沉積的鍺薄膜和含鍺的半導體薄膜（例如鍺化矽）。它還用於製備NAND Flash中的GeSbTe。
參考資料[編輯]
拓展閱讀[編輯]
- IBGe: Brief description from National Compound Semiconductor Roadmap.
- Élaboration et Physique des Structures Épitaxiées (LPN) Hétérostructures III-V pour l』optoélectronique sur Si: Article in French from LPN-CNRS, France.
- Designing Novel Organogermanium OMVPE Precursors for High-purity Germanium Films[永久失效連結]; Journal of Crystal Growth, January 25, 2006.
- Ge Precursors for Strained Si and Compound Semiconductors; Semiconductor International, April 1, 2006.
- Development of New Germanium Precursors for SiGe Epitaxy; Deo Shenai and Egbert Woelk, Presentation at 210th ECS Meeting, Cancun, Mexico, October 29, 2006.