隧道二極管

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隧道二極管的符號
1N3716隧道二極管,右邊的跳線是比例尺

隧道二極管(英語:Tunnel Diode),又稱江崎二極管穿隧效應二極管穿隧二極管透納二極管,是一種可以高速切換的二極管,其切換速度可到達微波頻率的範圍,其原理是利用量子穿隧效應

隧道二極管是日本物理學家江崎玲於奈在1958年8月時發明的,當時他任職於東京通訊工業株式會社(現在的索尼)。1973年時江崎玲於奈和布賴恩·約瑟夫森因為發現上述半導體中的量子穿隧效應而獲得諾貝爾物理獎羅伯特·諾伊斯在為威廉·肖克利工作時也有有關隧道二極管的想法,但沒有繼續進行研究[1]

此種二極管是由高摻雜的PN接面所形成(空乏區通常只有10奈米寬),常用的材料包括砷化鎵等窄能隙的材料,由於高摻雜會產生晶格的破壞,使得能隙間的缺陷變多[來源請求],加上窄能隙材料縮小量子穿隧的障礙,所以能夠增加量子穿隧的電流。隧道二極管常用於頻率轉換器和偵測器上,由於隧道二極管的負微分電阻的特性,其也可應用於振盪器放大器以及開關電路的遲滯。

參考資料[編輯]