動態隨機存取記憶體

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儲存裝置

動態隨機存取記憶體Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體記憶體,主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進制位元(bit)是1還是0。由於在現實中電容會有漏電的現象,導致電位差不足而使記憶消失,因此除非電容經常周期性地充電,否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時重新整理的特性,因此被稱為「動態」記憶體。相對來說,「靜態」記憶體(SRAM)只要存入資料後,縱使不重新整理也不會遺失記憶。

與SRAM相比,DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理,相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有存取速度較慢,耗電量較大的缺點。

與大部分的隨機存取記憶體(RAM)一樣,由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失,因此它屬於一種揮發性記憶體(volatile memory)設備。

工作原理[編輯]

DRAM讀操作舉例,在簡單的4x4矩陣上

DRAM通常以一個電容和一個電晶體為一個單元排成二維矩陣,左圖所示是一個4×4的矩陣,現代的DRAM通常長和寬都在幾千個。

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