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极紫外光刻

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極紫外光微影的成像機制

極紫外光微影超紫外線平版印刷術(英語:Extreme ultraviolet lithography,亦稱EUV或EUVL)是一种使用極紫外光(EUV)波長的下一代微影英语next-generation lithography技術,目前使用7納米,2020年得到廣泛應用[1][2][3][4]

透過高能量、波長短的光源,將光罩上的電路圖案轉印到晶圓的光阻劑塗層。EUV光源波長比目前DUV(深紫外光刻維基數據所列Q112921067)的光源波長短,約為15分之1,因此能使用於線距更小電路圖案的曝光上。然而EUV光罩與傳統的光罩截然不同,當採用13.5nm波長的極紫外光微影技術時,所有的光罩材料都是不透光的,因此具複合多塗層反射鏡的光罩可將電路圖案反射到晶圓上。這種多層膜EUV光罩一方面可維持光罩的反射率,但另一方面會影響臨界線寬、輪廓、刻線邊緣粗糙度、選擇性和缺陷控制方面,而造成獨特的蝕刻效果。[5][6]

参考资料[编辑]

  1. ^ Intel 7nm by 2019. [2018-04-02]. (原始内容存档于2018-10-06). 
  2. ^ Globalfoundries EUV by 2020. [2018-04-02]. (原始内容存档于2019-08-10). 
  3. ^ Samsung 7nm by 2020. [2018-04-02]. (原始内容存档于2017-01-03). 
  4. ^ TSMC 5nm by 2020. [2018-04-02]. (原始内容存档于2021-01-17). 
  5. ^ 存档副本. [2017-12-08]. (原始内容存档于2017-01-03). 
  6. ^ [1]页面存档备份,存于互联网档案馆[來源可靠?]