极紫外光刻

维基百科,自由的百科全书
跳到导航 跳到搜索
極紫外光微影的成像機制

極紫外光微影超紫外線平版印刷術(英語:Extreme ultraviolet lithography,亦稱EUV或EUVL)是一种使用極紫外(EUV)波長的下一代微影英语next-generation lithography技術,目前使用7納米,2020年得到廣泛應用[1][2][3][4]

透過高能量、波長短的光源,將電路圖案轉印到晶圓。EUV光源波長比目前DUV(深紫外線微影)的光源波長短少約15 倍,因此能達到持續將線寬尺寸縮小的目的。然而EUV光罩與傳統的光罩截然不同,當採用13.5nm波長的極紫外光微影技術時,所有的光罩材料都是不透光的,因此具複合多塗層反射鏡的光罩可將電路圖案反射到晶圓上。這種多層膜EUV光罩一方面可維持光罩的反射率,但另一方面會在臨界線寬、輪廓、刻線邊緣粗糙度、選擇性和缺陷控制方面造成獨特的蝕刻晚了10多年。[5][6]

参考资料[编辑]