梁孟松

维基百科,自由的百科全书
跳到导航 跳到搜索
梁孟松
Mong-Song Liang
中芯國際
聯合首席執行官兼執行董事
个人资料
性别
出生 1952年
臺灣 臺灣
国籍  中華民國
学历 建國中學
國立成功大學電機工程學士
國立成功大學電機工程碩士
加州大學柏克萊分校電子工程博士
专业 半導體元件物理及製程技術


梁孟松(英語:Mong-Song Liang, 1952年),台灣電子工程學家。電機電子工程師學會院士,曾為國立清華大學電機系與電子所教授[1]成均館大學訪問教授,曾任超微工程師、台積電資深研發長、三星電子公司研發副總經理,後被挖角至中芯國際[2]

早年生涯与台积电17年[编辑]

梁孟松先于国立成功大学电机工程学系取得学士硕士学位,其后于加州大学柏克莱分校师从胡正明教授[3][4]为其最为器重的得意门生之一。[5][6]获得电子工程博士学位后和他的导师一样当选电气电子工程师学会院士,[5]并于超微半导体负责记忆体相关工作。[7][8][6]在美期间结褵上大学时为筹集学费曾当过空姐,同为半导体工程师的韩裔妻子;[9][5][6]而其妻为后来梁孟松转投三星的重要推手。美国专利及商标局的资料显示,梁孟松参与发明的半导体技术专利达181件之多,均为最先进和最重要的关键技术研究,[10][9][3][6]他并在台美两地共发表技术论文350余篇。[9]1992年返台后任台湾积体电路制造股份有限公司工程师、资深研发处长,[10]是台积电近五百个专利的发明人,[11][7][9][8][4][6][12]远多于其他主管;[5][6]负责或参与台积电每一世代制程的最先进技术,[13][14]也是「新制程设备遴选委员会」之一员。[6]台积电在2003年以自主技术击败IBM,一举扬名全球的130纳米「铜制程」一役受行政院表彰的台积电研发团队中,当时负责先进模组的梁孟松排名第二,[15][11][3][4][13][14]贡献仅次于他的上司,资深研发副总蒋尚义,[10][9][7][5][6]而蒋尚义则在2016年底被中芯聘为独立董事。[7]2009年2月梁孟松离开台积电,转赴国立清华大学电机工程学系和电子所教授;半年多后离台赴韩。[10][11]

转投三星的争议和法律诉讼[编辑]

梁孟松最受争议之处为其供职于三星期间,使三星与台积电技术差距急速缩短,而让台积电认为梁孟松涉嫌泄漏商业秘密而诉讼,最终梁孟松败诉。[7][10][11][4][16][13][14][6][12]在三星开出用三年就给梁孟松在台积电10年能赚到的钱、[10][3]并动用行政专机载他和其它台积电前员工往返台湾和韩国,[3]及其他优厚条件下,梁孟松同意供职三星,并同时带走了包括他的旧部黄国泰、夏劲秋、郑钧隆、侯永田、万文恺和陈建良在内的二十多个台积电的工程师。[15]刚到韩国时,为了符合竞业条款所规定的竞业禁止期限,梁孟松先于2010年10月开始在三星属下的成均馆大学担任访问教授,[11][4][13][14][6][12]但他真正任教的却是校址就在三星厂区的三星内部企业培训大学——三星半导体理工学院(SSIT),[10][16][5]而他当时的十个学生其实都是三星内部的半导体资深工程师。[5][6]2011年7月13日,梁孟松正式加入三星集团,担任三星LSI部门技术长,[6]同时也是三星晶圆代工的执行副总。[4]

自1960年中期代芯片商业化量产以来,芯片制程技术也如影随形的伴随着发展了大约30余代:其中每代又包含几个节点等级,大致可以分为:(1). 50微米(1960年代中期) → (2). 16/20微米(1960年代中期至末期) → (3). 10/12微米(1960年代末期至1970年代初期) → (4). 7/8微米(1970年代初期) → (5). 5/6微米(1970年代初期至中期) → (6). 3/3.5微米(1970年代末期) → (7). 2/2.5微米(1980年代初期) → (8). 1.3/1.5微米(1980年代中期) → (9). 1/1.2微米(1980年代末期) → (10). 0.75/0.8微米(1980年代末期至1990年代初期) → (11). 0.65/0.7微米(1990年代初期) → (12). 0.5/0.6 微米(1990年代初期至中期) → (13). 0.28/0.35微米(1990年代中期至末期) → (14). 0.24/0.25微米(1990年代末期) → (15). 0.18/0.22微米(1990年代末期至2000年代初期) → (16). 0.13/0.15微米(2000年代初期) → (17). 90/110纳米(2000年代初期至中期) → (18). 65/80纳米(2000年代中期) → (19). 55/60纳米(2000年代中期至末期) → (20). 40/45纳米(2000年代末期) → (21). 38/39 纳米(2000年代末期至2010年代初期) → (22). 32/34纳米(2010年初期) → (23). 28/30 纳米(2010年初期至中期) → (24). 20/22 纳米(2010年中期) → (25). 16/18纳米(2010年中期至2017) → (26). 12/14纳米(2015年开始量产) → (27). 10/11纳米(2016年开始量产) → (28). 7/8 纳米(2018年开始量产) → (29). 5/6 纳米(2020年开始量产) → (30). 3/4纳米(2020年准备试产) → (31). 2 纳米(2020年台积电已于研发中) → (32). 1.4 纳米(英特尔计划于2029年推出)。当时三星正在处于一个由第23代的28纳米制程转向第24代的20纳米制程的过程中,但却遇到重重困难,进度停摆。梁孟松力主放弃20纳米制程,直接由28纳米制程升级到第26代的14纳米制程。[3]这就要跳过第24代的20/22纳米制程和第25代的16/18纳米制程,一次完成三代四级跨越,其难度可想而知,但梁孟松和他的台籍团队知难而上,终获成功;[3]最后三星14纳米制程量产时比台积电早了约半年,[6]且台积电推出的制程为16纳米。[15][4]

梁孟松帮三星成功以研发出14纳米制程的直接结果就是将苹果A9处理器的订单从台积电抢走了,[15]同时还拿下高通的大单,[3][6]并使台积电的股价一度大跌,评级遭降。[15][4][16][6]而之前原来独吞苹果处理器订单,但因制程落后而痛失八成苹果订单则使台积电损失10亿美元(约314亿新台币)。[6]由此台积电于2011年10月和梁孟松开始了长达四年的官司,指控其自2009年离职,并从该年8月到三星旗下的成均馆大学任教以来,“应已陆续泄漏台积电公司之营业秘密予三星。” [7][3][16][6]台积电指出,从2005到2009这五年中,三星电子的年代工营收不足4亿美元。到2010年开始代工苹果公司的苹果A系列处理器(包括从A4到A7),代工营业收入猛增,2010年整体代工收入激增至12亿美元(其中苹果A系列处理器产品代工收入达8亿美元)。由于苹果手机等移动终端产品出货激增,三星电子的晶圆代工营收水涨于2013年达到39.5亿美元。[17]实际上到了2018年,三星晶圆代工收入约100亿美元,并想在3纳米制程上再次超越台积电;具体措施是在3纳米节点,三星将从FinFET晶体管转向GAA环绕栅极晶体管工艺,其中3纳米工艺使用的是第一代GAA晶体管,称为3GAE的工艺。基于全新的GAA晶体管结构,三星通过使用3纳米片设备制造出了可显著增强晶体管性能的多桥-通道场效应管(Multi-Bridge-Channel FET, MBCFET),用来取代FinFET晶体管技术。[3]而三星所有现在的成就均与之前梁孟松为其打下的坚实基础密不可分,台积电法务副总经理暨法务长方淑华因此指出:“就算不主动泄漏台积机密,只要三星选择技术方向时,梁孟松提醒一下,这个方向你们不用走了,他们就可以少花很多物力、时间。” [3][5][13][14][6][12]更具杀伤力的是台积电外包外国专家所作的一份技术调查报告:由于三星产品技术来自IBM授权,因此其产品特征与IBM一样;例如三星2009年量产的65纳米和以前投产的产品,其产品特征均与IBM一样,而和台积电差异极大;[15]这点符合一般预期。但之后几年,三星的45、32、28纳米世代,与台积电差异急剧减少,两家产品变得极为相近。[15][7][4][16][6]台积电于是委托外部专家以最先进的电子显微镜,分析头发万分之一细微的电晶体,详细比对IBM、台积电和三星3家公司产品最新4代产品的主要结构特征,以及组成材料,制作的一份名为「台积电/三星/IBM产品关键制程结构分析比对报告」的测试结果。[6]此报告中列出7个电晶体的关键制程特征,例如浅沟槽隔离层的形状、后段介电质层的材料组合等,双方产品都高度相似。[15][6]此外,三星28纳米制程P型电晶体电极的矽锗化合物,更类似台积电的菱形结构特征,[16][6][6]与IBM的圆盘U型完全不同。[4][15]这份报告又指出2015年双方量产的16、14纳米鳍式场效应晶体管产品将更为相似,单纯从结构分析可能分不出系来自三星公司或来自台积电公司。[15][6]这几项如指纹般独特并难以模仿的技术特征,使台积电认定梁孟松已泄漏台积电公司的商业秘密给三星。[16]这意味着台积电积累十好几年(一说二十余年)、以数千亿台币研发经费打造的技术优势,已在一夕之间被追平了。[15][11]

台积电控告梁孟松侵犯营业祕密的诉讼在一审时败诉,以法官何君豪为首的法院同意梁孟松的辩护律师,著名律师顾立雄的观点,判决竞业禁止期限已满,不应剥夺梁的工作权,因此判台积电败诉。[10][18][19][4][16][5]台积电不服上诉,二审时智慧法院第二庭审判长陈忠行、法官曾启谋、熊诵梅组成合议庭,[10][18]其中熊诵梅和梁孟松一样也曾就读于加州大学柏克莱分校,只不过因梁孟松年长她十余岁而读工程在先,熊诵梅读法律于后。而熊诵梅的丈夫和梁孟松的妻子一样,也为韩裔。[18][19][5][6]熊诵梅对韩国的文化、教育、产业等都相当了解,[18]本人更是多次去过成均馆大学,深知它与三星的特殊关系,更深谙韩国此类企业大学所具备的某种不便公开的作用:[19][5][6]韩国已有前科,即新日铁控告其离职工程师泄密给韩国浦项钢铁;此官司的关键乃带着绝密特殊钢材配方新日铁工程师在离职后,先到浦项工科大学为度过竞业禁止期漂白。[19][5][6]熊诵梅因而判定成均馆大学对三星有类似功能,加上台积电呈堂的证据,二审台积电逆转胜,[18][6]法院最终判决结果是:在2015年12月31日之前,梁孟松不能以任职或者是其他的方式继续为三星提供任何服务。[10][11][7][4][16][13][14][6][12]这也是当地法院历史上第一次限制企业的高管,对台湾保护商业机密有指标性意义。[18][15][4][12]

供职中芯国际[编辑]

前台积电董事长张忠谋曾明确指出,因台湾、韩国、美国在半导体产业已经累积了很多经验,因此学习曲线已经下来,此乃中国大陆再砸多少大钱也难以获得的经验。[7]此观点也为包括1956年7月出生的原工信部经济师、中芯国际董事长周子学在内的中国大陆有识之士所承认,以大陆业界人士的话来说就是:一个人、一个团队往往会影响一个产业,[3][5]就像张忠谋之于台积电,任正非之于华为,有些经验自己慢慢积累远不能赶上别人的进步,即使不睡觉,再拼命也没用。[20]所以中国大陆近年来为发展本土半导体制造业,挖角重量级的高手加入中国大陆微电子工业,就是为了缩短其芯片产业的学习曲线,而本身带有关键技术专利的梁孟松就一直是被锁定的目标。[7]于是在极具战略眼光和执行力的周子学统筹下,中芯展开了与梁孟松长达一年多的反复接触;在与三星的合同结束之后, [9]梁孟松终于接受了中芯国际以年薪二十万美金开出的的邀请(不含股权分配和分红),而中芯国际则于2017年10月16日晚间特别召开临时董事会议,正式宣布梁孟松出任中芯国际联合首席执行官(Co-CEO)兼执行董事,[21]和几个月在前2017年5月10日刚刚获委任为中芯国际首席执行官的赵海军一起形成双首席执行官的局面,开启了中芯的双首长制时代。[9][20]中芯此番专为安置梁孟松的行政改组颇似台积电曾采用的双研发副总制度,且其任命令即(16)日生效,足见中芯国际对梁孟松相当重视。而此一消息公布后,中芯股价于当日就高开了4.23%,[8]并于其后近一个月的时间内竟大涨逾20%,足见外界对其的殷殷期望。[9]而投资商对中芯的评价也为正多于负。[8]梁孟松2017年10月加入时从三星带走了多位台籍和韩籍工程师到中芯,但其最依重的随他从台积电跳槽至三星的六人却只有黄国泰一人到中芯,其余五人均婉拒梁孟松之邀:离开三星后,侯永田任职格芯新加坡厂;陈建良也一度转任职格芯,后转赴台湾联电;万文恺任职联发科的研发部门;郑钧隆传出任职美商半导体公司;[22]夏劲秋则担任了中国大陆新成立的云芯国际集成电路制造有限公司董事。[23][24]虽缺了原核心班底,但梁孟松其所率的台籍、韩籍团队仍然没有辜负中芯的一片殷殷企盼,即便因竞业禁止条款所限,而无法立即投入中芯正在研发的最新一代产品的工作中,只能先暂时参与前代产品的改良,他们依然为中芯做出了巨大贡献,其中莫过于巨幅提升中芯28纳米工艺的良品率:

中芯半导体虽早在2016年2月份就宣布28纳米高介电常数金属栅(闸)极(HKMG: high k metal gate)工艺已经成功进入设计定案阶段(tape-out),成为中国内地晶圆厂中,首家可同时提供28纳米多晶硅(PolySiON)与较比PolySiON更为复杂的高介电常数金属栅极工艺的厂商,但因所采用的技术,良品率一直不稳定。[25][26]因高介电常数金属栅极流程的差异性,在金属闸极在源极与汲极区之前或之后形成,使高介电常数金属栅极流程分为 IBM 为首的先栅极(Gate-first)流程,和英特尔为主的(Gate-last)后栅极流程两类。先栅极技术发展到后来,都遭遇到所以临界电压(Vt: threshold voltage)难以控制,功耗暴增的难关,似乎已到技术极限。[25][26]后栅极又称可替换栅极(简称RMG:Replacement Metal Gate),使用该工艺时高介电常数栅电介质无需经过高温步骤,所以临界电压偏移(shift)很小,芯片的可靠性更高。因此业界在制造高性能芯片时更倾向于选择后栅极工艺流程。[25][26]然而,后栅极工艺流程涉及更多的工艺步骤,面临更多的工艺难关和设计限制,难关之一就是平坦度极难达标;而且后栅极要做到与先栅极管芯密度相同,更需要较为复杂的工序与设计端的调整。包括台积电在内的大部分厂家在发展28纳米工艺时,都采用后栅极工艺流程。[25][26]中芯在 研发28纳米制程时原先走后栅极工艺流程,在2012年得到IBM 的协助,签订合作开发协议之后,采取以后栅极工艺流程为主,部分先栅极技术为辅的兼容型,但高介电常数金属栅极产品的良品率一直不稳定,[13][14]远不如预期。[25][26][9]例如中芯为高通接单的低阶28 纳米工艺多晶硅制程的良品率只有60%,而高阶28纳米工艺高介电常数金属栅极制程的良品率更只有40%。[3]正因如此,直至28纳米制程所占中芯营收比例最高的2018年第4季,也只不过只有区区5.4%而已。[27]而梁孟松和其所率的台籍、韩籍团队加入中芯后仅仅用了不到一年的时间,就将中芯的低阶28纳米工艺多晶硅制程的良品率从60%大幅提升至85%以上,而与此同时,他们更是将中芯的高阶28 纳米工艺高介电常数金属栅极制程的良品率翻倍提升至80%以上。[3]中芯产品质量的大幅提升是梁孟松针对所发现的管理效率太差、机台的生产流程拖沓、多余工序降低良品率之问题亲自领军改革的结果,[28]管理效率和良品率之提高、内控之改善、及流程管理的最佳化,让非正常的额外晶圆消耗大幅降低,方使28纳米制程开始获利。[28]

但梁孟松和其所率的台籍、韩籍团队对中芯更大的贡献还是在于稍后参与了中芯当时最新研制的产品,中芯虽靠梁孟松和其团队虽将属于第23代的28纳米制程良品率大幅提升,但前景却不乐观,肇因台湾联华电子位于厦门翔安区火炬高新区的中国大陆分公司联芯集成电路制造(厦门)有限公司(厦门联芯)已于同年(2018)二月提前于中芯试产28纳米高介电常数金属栅极制程,其良品率更高达98%。[25][26][29][30][31][32][33]而台积电南京厂也提前半年于同年 5 月量产属于第25代的16纳米制程。[34][35][36][37][38][39][40]在竞争对手全都提前量产,良品率或是高于自己,或是技术比自己先进的情况下,中芯的28纳米制程产品即便是质量稳定了,也毫无优势可言,抢不到任何订单。[41]例如因中芯制程落后,世界最大的比特币挖矿晶片(ASIC: Application Specific Integrated Circuit)设计公司比特大陆虽为中国大陆公司,但其订单全被台积电拿下。在法人说明会上被问此事时,梁孟松承认因28纳米制程研制成功太晚,以错失市场良机。[41]有鉴于此,梁孟松于是提出了一个比他在三星任职时更为大胆,更加激进的策略,即停止对第23代的28纳米制程的后续发展,跳过第24代的20/22纳米制程和第25代的16/18纳米制程,直接量产第26代的14纳米制程。犹如之前在三星,此次一跨越三代五级(22/20纳米世代、16/18纳米世代、14/12纳米世代)的建议在中芯提出后就遭到普遍反对,肇因技术瓶颈颇大:中芯虽于2018年8月宣布研制出14纳米制程,但成品质量和其早先28纳米制程一样极不稳定,因与中芯共同研发14纳米制程的合作伙伴乃华为高通校际微电子中心[13][14]头两个为芯片设计商,后一个主打芯片应用,三家均非擅长芯片制造,无法对中芯提供任何突破性的帮助;所以当时中芯14纳米制程的良品率仅仅只有3%,完全是试验性质,只可作为预研技术储备,根本不具任何投产条件;以致电子时报当时评论道:“中芯宣称要做14nm、10nm,但恐是个遥不可及的美梦…”[13][14]如若一举跨越三代五级投产当时最新的14纳米制程,对自身技术积累远不如三星的中芯来说,所面临的巨大难度比之前三星的跨越有过之而无不及。梁孟松信心十足,力排众议,保证对14纳米制程的改良能完美达成,成功说服中芯采纳其建议。而他和其团队也未食言,带领中芯不但于正式投入后用了仅仅298天就将14纳米制程的良品率从3%巨幅提升至95%,[3]更成功同时研发了12纳米制程。至中芯2019年14纳米制程成功量产时,比14纳米功耗降低20%、性能提升10%、错误率降低20%的中芯12纳米制程也进入了客户导入阶段。[42][43][44][21]

还在完善28和14纳米制程时,梁孟松便放眼未来,雄心勃勃的决定再次带领中芯实行进一步发展,研发下一代制程,并瞄准顶级7/5/3纳米制程,力图让中芯成为象台积电那样的世界一流晶圆代工厂家。为此,中芯于2018年上半年向艾司摩尔下单订购了一台价值1.2亿美元的极紫外光刻机,其价格几乎和中芯2017年1.264亿美元获利相当。[45][46][47]与此同时,梁孟松与其团队又双管齐下,于领军中芯研发第二代鳍式场效应晶体管时,同时也同步研发采用第二代鳍式场效应晶体管的新一代N+1、N+2代制程工艺。梁孟松和其团队再次没让中芯失望,截至2019年下半年,N+1制程客户导入阶段已十分顺利;[21]据2020年2月中芯国际2019年第四季度财报会议的公告,即使受到2019冠状病毒病疫情影响,中芯N+1制程仍会于2020年第四季开始低批量试产,2021年进行大规模量产。相较之前第26代的14纳米制程,中芯新一代N+1制程性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%,片上系统(Syetem on a Chip, SoC)面积缩小55%,之后的N+2工艺性能和成本都会更高些。[42][43][48][49][50]自中芯N+1制程公布以来,中国大陆广泛误传其为7纳米制程,[51][42][43]但此谣传与事实相距甚远,肇因从14纳米到7纳米制程性能提升的业界标准为35%,中芯N+1制程相较之前一代14纳米制程性能只提升了20%。[48]因此其N+1和N+2制程应为第27代11/10纳米制程;[51][50]而中芯本身也已发表声明辟谣澄清N+1是中芯国际的内部代号,并不等于7纳米。[48]中芯新一代制程虽非7纳米,但其N+1代制程在功耗及稳定性上跟低階7纳米工艺非常相似,[51][42][43]因此梁孟松采取了与台积电研发7纳米制程经验相似的方法,即在N+1、N+2代制程上发展第28代的7纳米制程,[51][42][43]计划于2022年完成。台积电7纳米制程本身又共发展了3代:第一代低功耗的N7、第二代高性能的N7P、和相较第一代N7功耗降低10%,晶体管密度提升15%至20%的第三代N7+。[42][43][17]这三代中只有第三代高階N7+才用到极紫外光刻机,不过光罩层数较少,只有4层,不如台积电其后研发的因充分利用极紫外光刻工艺,而达到14层光罩的5纳米制程。[42][43][49]而台积电前两代低階7纳米制程均只需用深紫外光刻机(Deep Ultraviolet Lithography, DUV)。[51]相对极紫外光刻机,以深紫外光刻机生产7纳米芯片须采用多重曝光技术,因此影响良品率,[49][50]但在已有相当深紫外光刻技术和设备的储备,但尚无任何极紫外光刻机和使用经验的中芯来说,[49]以深紫外光刻技术和设备研发第28代的7纳米制程乃不二选择;而梁孟松也证实了中芯以其N+1、N+2代制程上发展和台积电N7、N7P同级的前两代7纳米制程时,都不会使用极紫外光刻工艺;直到将来设备就绪之后,N+2之后的工艺才会转向极紫外光刻工艺。[51][42][43][49][50]西方的技术封锁使中国大陆只能买到落后至少两代的芯片生产设备,而实际上限制给更为苛刻,例如2015年时,台、美、韩芯片厂商向艾司摩尔订购当时最新的第27代10纳米制程生产设备时,中国大陆只能得到落后5代的第22代32纳米制程设备。[13][14]梁孟松和其团队带领中芯以落后好几代的设备接连研制成功原需先进设备才能研发的高階芯片,殊为不易,肇因其难度远远大于只最多需用落后一代的设备来开发同样产品的竞争对手,加上其最新研发的低階7纳米制程迄今也仍只能用现有较落后的设备,对技术落相对后的中国大陆来说,其重要意义不亚于以前台积电成功自主研发铜制程。

但梁孟松想把中芯打造成中国大陆版的台积电的雄心壮志于2019年底遭到了重大打击:因美国施压,荷兰政府延缓了向艾司摩尔授予其接单中芯的出口许可证,使原先计划于2019年底到货安装极紫外光刻机直至2020年第二季仍迟迟无法出货。[49]即使中芯研制前两代低階7纳米制程成功,高階7纳米、5纳米和3纳米制程只能采用极紫外光刻机,[51][42][43][49][50]否则无法继续(就现行技术而言)。中芯赶超世界一流晶圆代工厂家的宏伟计划也因此实际上已被迫无限期搁置;何时才能重启迄今仍尚无定论。即便遭此重大挫折,梁孟松对中芯、乃至中国大陆芯片制造业的巨大贡献仍不可磨灭,他加盟中芯被业界称为“对中国半导体行业具有划时代的意义”、“中国半导体产业进入梁孟松时代”,[3]大陆更形象的称之为中芯打了一剂鸡血针;[8]并因此得到了大陆方面赠诗称赞:“叶落归根中芯在,半导一生忠报国”。而中芯董事长周子学将梁孟松团队成功挖来也被认为不仅仅是对中芯国际,更是对整个中国大陆集成电路产业的一件奇功。[20]但台湾大部分民众普遍对梁孟松极度不满、痛恨,斥责其为“叛徒”、[15] “叛将”、[11][5][12] “半导体吕布”、[11][12]及“现代版三姓家奴”,[11]肇因台湾科技界诸如面板业和集成电路设计业,都出现了不少类似梁孟松这种掌握关键核心技术的大将带枪投靠竞争对手,造成多起因失一人而丧邦,动摇国本的惨重损失。[5][6]

研究领域[编辑]

半导体元件物理及制程技术、鳍式场效应晶体管(FinFet)。

參考资料[编辑]

  1. ^ 國立清華大學電機工程學系電子所教授列表
  2. ^ 梁孟松
  3. ^ 3.00 3.01 3.02 3.03 3.04 3.05 3.06 3.07 3.08 3.09 3.10 3.11 3.12 3.13 3.14 3.15 助力台积电三星崛起. [2019年12月19日] (简体中文). 
  4. ^ 4.00 4.01 4.02 4.03 4.04 4.05 4.06 4.07 4.08 4.09 4.10 4.11 4.12 如指紋般的技術特徵」都遭三星模仿!台積電告贏離職研發處長梁孟松. [2015年8月25日] (繁体中文). 
  5. ^ 5.00 5.01 5.02 5.03 5.04 5.05 5.06 5.07 5.08 5.09 5.10 5.11 5.12 5.13 5.14 獵殺叛將-揭密梁孟松投效三星始末. [2015年1月20日] (繁体中文). 
  6. ^ 6.00 6.01 6.02 6.03 6.04 6.05 6.06 6.07 6.08 6.09 6.10 6.11 6.12 6.13 6.14 6.15 6.16 6.17 6.18 6.19 6.20 6.21 6.22 6.23 6.24 6.25 6.26 6.27 6.28 6.29 改变全球晶圆格局的男人:梁孟松或加盟中国晶圆厂. [2016年12月24日] (简体中文). 
  7. ^ 7.0 7.1 7.2 7.3 7.4 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9 梁孟松加盟中芯国际. [2017年11月27日] (简体中文). 
  8. ^ 8.0 8.1 8.2 8.3 8.4 看好梁孟松却不看好中芯国际,梁孟松能否带领公司走向辉煌. [2017年11月27日] (简体中文). 
  9. ^ 9.0 9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6 9.7 9.8 梁孟松是哪里人_梁孟松出生地_梁孟松个人简历. [2017年11月27日] (简体中文). 
  10. ^ 10.0 10.1 10.2 10.3 10.4 10.5 10.6 10.7 10.8 10.9 吳永猛、陳松柏、林長瑞. 企業倫理: 精華理論及本土個案分析. 臺北市: 五南圖書出版股份有限公司. 2016年10月12日: 376页 [2016年10月12日]. ISBN 9571187976 (繁体中文). 
  11. ^ 11.0 11.1 11.2 11.3 11.4 11.5 11.6 11.7 11.8 11.9 台積叛將梁孟松背叛三星「跳槽中芯」網友封「半導體呂布」. [2017年10月16日] (繁体中文). 
  12. ^ 12.0 12.1 12.2 12.3 12.4 12.5 12.6 12.7 梁孟松加盟中芯国际,两岸半导体技术战一触即发. [2017年4月26日] (简体中文). 
  13. ^ 13.0 13.1 13.2 13.3 13.4 13.5 13.6 13.7 13.8 13.9 台积电前高管梁孟松加盟中芯,或带领攻克14nm工艺. [2017年4月27日] (简体中文). 
  14. ^ 14.0 14.1 14.2 14.3 14.4 14.5 14.6 14.7 14.8 14.9 台积电传奇人物梁孟松投奔大陆,或带领中芯攻克14nm工艺. [2017年4月27日] (简体中文). 
  15. ^ 15.00 15.01 15.02 15.03 15.04 15.05 15.06 15.07 15.08 15.09 15.10 15.11 15.12 當年一個叛徒投奔三星,害台積電損失300多億...回顧兩大半導體廠8年晶片大戰. [2016年12月22日] (繁体中文). 
  16. ^ 16.0 16.1 16.2 16.3 16.4 16.5 16.6 16.7 16.8 叛將帶機密跳槽三星,台積電贏官司輸優勢. [2015年8月25日] (繁体中文). 
  17. ^ 17.0 17.1 三星力拼台积电,胜算几何?. [2019年8月17日] (简体中文). 
  18. ^ 18.0 18.1 18.2 18.3 18.4 18.5 獵殺台積叛將的女法官 讀懂改穿律師袍的她. [2020年3月2日] (繁体中文). 
  19. ^ 19.0 19.1 19.2 19.3 台积电梁孟松为何走_台积电的厉害之处. [2017年11月27日] (简体中文). 
  20. ^ 20.0 20.1 20.2 梁孟松最新消息_中芯国际14nm最新进展. [2017年11月27日] (简体中文). 
  21. ^ 21.0 21.1 21.2 用钱堆出来的七大FinFET工艺公司,中芯国际(00981)能靠什么胜出?. [2020年2月25日] (简体中文). 
  22. ^ 中国“缺芯”之痛源于人才荒!18年困境至今无解,两代半导体名帅苦无精兵强将,全球猎才已成当务之急!. [2018年4月13日] (简体中文). 
  23. ^ 中国集成电路产业新的崛起. [2019年1月16日] (简体中文). 
  24. ^ 中国集成电路产业“新贵”崛起. [2020年4月12日] (简体中文). 
  25. ^ 25.0 25.1 25.2 25.3 25.4 25.5 厦门联芯试产28纳米HKMG制程良率达98% 恐威胁中芯(00981)龙头地位. [2018年2月29日] (简体中文). 
  26. ^ 26.0 26.1 26.2 26.3 26.4 26.5 厦门联芯试产 28 纳米 HKMG 制程良率达 98%. [2018年3月29日] (简体中文). 
  27. ^ 中芯国际14nm工艺首次贡献营收,产能几乎满载. [2020年2月14日] (简体中文). 
  28. ^ 28.0 28.1 入职两年,中芯“改头换面”,梁孟松到底做了什么?. [年月日] (简体中文). 
  29. ^ 厦门联芯工艺取得重大突破 28纳米HKMG试产良率达98%. [2018年3月27日] (简体中文). 
  30. ^ 联芯28纳米HKMG试产良率达98% 国内最先进的28纳米晶圆工艺. [2018年3月31日] (简体中文). 
  31. ^ 厦门联芯工艺取得重大突破 28纳米HKMG试产良率达98%. [2018年3月27日] (简体中文). 
  32. ^ 厦门联芯28纳米HKMG试产良率达98%. [2018年3月27日] (简体中文). 
  33. ^ 再创新里程碑!厦门联芯 28 纳米 HKMG 试产良率达 98%. [2018年3月27日] (简体中文). 
  34. ^ 台积电南京厂提前半年量产16nm,抢攻中国半导体市场热潮. [2018年1月2日] (简体中文). 
  35. ^ 台积电南京晶圆厂交付首批16nm芯片:客户为比特大陆. [2018年5月2日] (简体中文). 
  36. ^ 台积电给力 南京TSMC 16nm量产出货 客户是比特大陆. [2018年5月9日] (简体中文). 
  37. ^ 台积电南京厂Fab 16正式量产. [2018年11月2日] (简体中文). 
  38. ^ 台积电晶圆十六厂开工量产:16nm工艺正式落地南京. [2018年11月1日] (简体中文). 
  39. ^ 台积电南京12吋晶圆厂量产,2020年月产能达2万片. [2018年11月1日] (简体中文). 
  40. ^ 台积电晶圆十六厂开工量产:16nm工艺正式落地南京. [2018年11月2日] (简体中文). 
  41. ^ 41.0 41.1 中國砸重本、猛併購,為何拚不出第二個台積電?. [2018年5月31日] (繁体中文). 
  42. ^ 42.0 42.1 42.2 42.3 42.4 42.5 42.6 42.7 42.8 国产7nm有信了 中芯国际不用EUV光刻机也能搞定. [2020年2月15日] (简体中文). 
  43. ^ 43.0 43.1 43.2 43.3 43.4 43.5 43.6 43.7 43.8 中芯国际不用EUV光刻机也能搞定. [2020年2月14日] (简体中文). 
  44. ^ 中芯国际14nm工艺首次贡献营收,产能几乎满载. [2020年2月14日] (简体中文). 
  45. ^ 买它,中芯国际花了7个亿. [2019年3月28日] (简体中文). 
  46. ^ 日媒:中芯国际买了一台EUV光刻机,2019年交付. [2018年5月16日] (简体中文). 
  47. ^ 国内首台:中芯国际1.2亿美元购入EUV光刻机. [2018年5月17日] (简体中文). 
  48. ^ 48.0 48.1 48.2 中芯国际重点转向N+1及N+2代FinFET工艺,N+1工艺进. [2020年4月1日] (简体中文). 
  49. ^ 49.0 49.1 49.2 49.3 49.4 49.5 49.6 “中国芯”今年将迎突破,中芯国际砸154亿全力冲击7nm制程. [2020年3月13日] (简体中文). 
  50. ^ 50.0 50.1 50.2 50.3 50.4 中芯国际7nm芯片有望今年量产!实际情况究竟如何?. [2020年3月13日] (简体中文). 
  51. ^ 51.0 51.1 51.2 51.3 51.4 51.5 51.6 网传中芯国际今年出产7nm? 误解!. [2020年3月13日] (简体中文).