洪朝生

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洪朝生(1920年10月10日-2018年8月19日),生于北京中国物理学家,中国科学院理化技术研究所研究员。

生平[编辑]

1940年毕业于清华大学电机工程系。1945年远赴美国留学,1948年获美国麻省理工学院理学博士学位。后于美国普渡大学及荷兰莱顿大学卡莫林.昂纳斯实验室工作。

1951年回国,时任中国科学院应用物理所副研究员、研究员,並兼任清华大学、北京大学、中国科学技术大学物理系教授一职,1978年荣任中国科学院物理研究所副所长,1982年荣任中国科学院低温技术实验中心主任。1980年当选为中国科学院学部委员(院士)。

榮譽[编辑]

  • 1950年,於半導體鍺單晶輸運現象實驗中,發現雜質能級上的導電現象,並提出半導體禁帶中雜質導電概念,此現象被半導體物理界稱之為「洪朝生效應」。亦間接促進爾後「無序系統電子輸運現象」實驗研究的開端。
  • 1953年,於中國科學院物理研究所組建國內第一所低溫實驗室,主持研製低溫研究設備。陸續發現氫、氦的液化及相關技術的推廣。
  • 1970年,領導低溫科研隊伍,完成大型空間模擬系統KM3與KM4低溫氦製冷系統的研製任務。為衛星升空的環境模擬出試驗要件。
  • 1985年,KM4大型航天環境模擬設備的研製,榮獲「國家科技進步一等獎」。
  • 1989年,榮獲中國物理學會胡剛復物理獎。
  • 2000年,榮獲國際低溫工程理事會門德爾松獎。
  • 2011年,榮獲美國低溫工程和低溫材料大會賽謬爾·柯林斯獎。


参考文献[编辑]