相變化記憶體

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相變化記憶體英语:Phase-change memory英语:Ovonic Unified Memory英语:Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非易失性存储器裝置。PRAM 使用含一種或多種硫族化物玻璃英语Chalcogenide glass(Chalcogenide glass)製成,目前的主流為GeSbTe系合金。硫屬玻璃英语Chalcogenide glass的特性是,經由加熱可以改變它的狀態,成為晶體(Crystalline)或非晶體(Amorphous)。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。 它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。

技術內容[编辑]

限制[编辑]

發展狀況[编辑]

Intel在2003年開始進行研發。

目前研究的單位有 Intel,Samsung,Macronix,Advanced Memory Corp.

外部連結[编辑]