硅穿孔

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硅穿孔 (Through Silicon Via, TSV),也叫硅通孔,是一种穿透硅晶圆芯片的垂直互连。

TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律(Moore's Law)的互連技術,TSV 可堆疊多片晶片,其設計概念來自於印刷電路板(PCB), 在晶片鑽出小洞(製程又可分為先鑽孔及後鑽孔兩種, Via Fist, Via Last),從底部填充入金屬, 矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鑽孔(via),再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質填滿。此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能。

TSV 技术在三维封装三维集成电路中具有重要应用,對於跨入3D IC相當具有優勢。2006年4月韓國三星(Samsung)表示成功的將TSV技術應用在“晶圓級堆疊封裝”(Wafer level process stack package, WSP) NAND Flash堆疊的技術,堆疊八個2Gb NAND Flash晶片,以雷射鑽孔打造出TSV製程,高度是0.56mm. 2007年4月三星公佈其以WSP技術應用在DRAM的產品,共堆疊了4顆512Mb的DRAM晶片。到目前為止,晶片商採用矽穿孔技術的商業行為有限,僅有CMOS(CIS)影像感測器、MEMS等少數幾種。

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