磷化銦鎵

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磷化銦鎵(Indium gallium phosphide,簡稱InGaP)也被稱為磷化鎵銦(GaInP),是由組成的半導體。因為其電子速率比常見的砷化鎵要快,常用於高速或是高功率的電子元件中。

磷化銦鎵常用在高電子移動率電晶體(HEMT)及异质结双极性晶体管(HBT)結構中,但也用在太空應用的高速率太陽能電池,若加入AlGaInP英语Aluminium gallium indium phosphide合金)可以製作高亮度的橘紅色、橘色、黃色及綠色發光二極體

磷化銦鎵是磷化銦磷化鎵的合金。

Ga0.5In0.5P是一種有特別重要性的合金,其晶格幾乎和砷化鎵相同,因此配合(AlxGa1-x)0.5In0.5,可以產生晶格對應量子阱,可以作為紅色的激光二極管,例如紅色光,波長650nm的共振腔發光二極體,或是配合聚甲基丙烯酸甲酯塑膠光纖垂直腔面發射雷射器

Ga0.5In0.5P其能量接面是太陽能電池中砷化鎵接面的二倍到三倍。近年發現磷化銦鎵及砷化鎵疊層的太陽能電池在AM0條件(太陽光在大氣層外的平均照度,=1.35 kW/m2) 下,效率可以提升25%[1]

另一個磷化銦鎵的合金,其晶格匹配底層的砷化銦鎵英语Indium gallium arsenide,用來製作高能量效率的磷化銦鎵/砷化銦鎵/鍺三接面太陽電池。

磷化銦鎵的磊晶生長可以依磷化銦鎵的趨勢成長,生成一般的材料,而不是任意分布的合金。這會改變該材料的帶隙和其電子和光學性質。

相關條目[编辑]

參考資料[编辑]

  1. ^ 存档副本. [2008-11-14]. (原始内容存档于2009-05-10). 

外部連結[编辑]