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纳电子学

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纳电子学英语Nanoelectronics)是指纳米技术电子器件(特别是晶体管等)中应用。虽然“纳米技术”被普遍认为是使用低于100纳米的工艺水平,纳电子学还是经常被用于指代特征尺寸很小的电子器件,在这些器件中,原子间相互作用和粒子的量子力学效应不可忽略。其结果是,当前研究的一些电子器件并没有完全满足纳米技术的定义,不过仍然有许多尖端的器件技术能够达到45纳米、32纳米甚至22纳米工艺水平。

计算机仿真展现的纳米线MOSFET中反型沟道的形成(电子密度的变化)。阈值电压在0.45V左右。

纳电子学有时被视为破坏性创新,这是因为它研究的器件产品于传统的晶体管差异很大。目前一些研究的对象有:混合分子半导体电子学、一维碳纳米管奈米線以及高级的分子电子学molecular electronics)。

参考文献[编辑]

延伸阅读[编辑]

Bennett, Herbert S.; Andres, Howard; Pellegrino, Joan; Kwok, Winnie; Fabricius, Norbert; Chapin, J. Thomas. Priorities for Standards and Measurements to Accelerate Innovations in Nano-Electrotechnologies: Analysis of the NIST-Energetics-IEC TC 113 Survey. Journal of Research of the National Institutes of Standards and Technology. March–April 2009, 114 (2): 99–135. 

Despotuli, Alexander; Andreeva, Alexandra. A Short Review on Deep-Sub-Voltage Nanoelectronics and Related Technologies. International Journal of Nanoscience (World Scientific Publishing Co.). August- October 2009, 8 (4–5): 389–402. Bibcode:2009IJN....08..389D. doi:10.1142/S0219581X09006328. 

外部链接[编辑]

相关条目[编辑]