肖克利半導體實驗室

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原來的肖克利大樓位於加州山景市聖安東尼奧路391號,在2006年時是一個街頭市集。

肖克利半導體實驗室英语Shockley Semiconductor Laboratory),是貝克曼儀器公司英语Beckman Instruments的一個部門, 是第一個為經營製造半導體裝置所設立的機構,後來發展演變為眾所周知的矽谷。1957年時,8位頂尖的科學家離開了實驗室,成立快捷半導體公司,造成實驗室無法彌補的損失。實驗室在1960年時被克利維特公司英语Clevite買下,在1968年被賣到ITT公司後正式關閉。離開公司的工程師們依舊留在這個地區從事同樣的工作;很快的,在舊金山灣區建立起完整的工業。

肖克利回到加州[编辑]

威廉·肖克利加州理工學院完成攻讀他的學士學位後,移居到東部在麻省理工學院取得了博士學位 。1936年畢業後立刻開始在貝爾實驗室工作。從1930年代到1940年代,他從事電子裝置工作並致力於半導體材料。這促使了1947年他與工作夥伴:約翰·巴丁沃爾特·布喇頓,還有其他人,創造出第一個電晶體。從1950年代早期,一連串的事件使得肖克利對於貝爾實驗室的管理方式逐漸不適應,特別是在電晶體的專利上,貝爾實驗室將巴丁及布喇頓的名字列在他的前面,讓他感覺受到忽視。然而,眾多因素之一是,與他一起工作的人,提出對肖克利不近人情管理方式的建議,這個原因使他常常在公司內部晉升上遭到略過。這些因素嚴重到令他在1953年時,取得短暫的工作假期並且回到加州理工學院擔任客座教授。

在這裡肖克利遇見了在1934年發明pH測量計阿諾德·奧維爾·貝克曼英语Arnold Orville Beckman並建立友誼。在此期間,肖克利確信了的自然特性終將取代而成為電晶體結構中的主要材料。德州儀器已在近期開始生產矽電晶體(於1954年),然而肖克利認為他可以做一個更好的。貝克曼同意肖克利在他的公司,貝克曼儀器公司英语Beckman Instruments,的保護傘下,在這個地區繼續努力舊有的工作。可是,肖克利的母親再次並且常常生病,於是他決定住在離他母親位於帕羅奧圖房子的附近。

1956年在靠近山景城附近,肖克利半導體實驗室開辦小型商店事業。初期他嘗試從貝爾實驗室雇用與他同類型的工作者,但是沒有人想離開東岸,而且還是最高科技的研究中心。取而代之的是,他組織了一個年輕科學家與工程師的團隊,並且訂定關於設計可以用來生產單晶矽棒英语Boule (crystal)的新型長晶系統的計劃。於此同時,矽的高熔點特性賦予了艱鉅的前途。

肖克利二極體[编辑]

肖克利在持續研究電晶體時,被使用四層裝置(均為電晶體)的靈感所啟發,而這個裝置可能會有不需要進一步控制輸入端就可以鎖定進入“開”或“開”狀態的新穎特質。 類似的電路需要若干個電晶體,一般是三個,所以對於大型的開關網路,新的二極體可以大幅降低複雜性。[1][2]這個四層二極體就是現在所稱的肖克利二極體

肖克利確信這個新型裝置會成為如電晶體般的重要,所以對於整個計劃保密,即使在公司內部也不例外。這導致了逐漸增加的偏執行為;一個著名的事件是,他被一個祕書斷指是用來傷害他的計謀所說服,於是下達命令對公司內的所有人使用測謊機。這與肖克利優柔寡斷的計劃管理方式互相結合;有時候他會覺得將基本的電晶體立刻導入生產是最重要的,而不注重肖克利二極體計劃是因為要製作“完美”的生產系統。

八叛逆[编辑]

最終一群年輕的員工越級肖克利,向阿諾德·貝克曼要求有人能取代肖克利的管理角色。貝克曼起初顯露傾向於同意他們的要求,但是隨著時間的推移,一系列的決策都顯示貝克曼是站在肖克利同一邊,使得最終無法得到改變是非常清楚的。厭倦之餘,這個小組轉而尋求謝爾曼·費爾柴爾德英语Sherman Fairchild主掌的仙童攝影器材英语Fairchild Camera and Instrument的支持,這是間擁有軍方合約的美國東部公司。1957年,快捷半導體創始於製做矽電晶體的計劃上。肖克利曾表示他們是“八叛逆”,分別是朱利亞斯·布蘭克英语Julius Blank維克多·格里尼克金·赫爾尼英语Jean Hoerni尤金·克萊爾英语Eugene Kleiner傑·拉斯特英语Jay Last高登·摩爾羅伯特·諾伊斯謝爾頓·羅伯茨英语Sheldon Roberts等8人。[3][4]

這8人後來離開快捷去創辦他們自己的公司,之中有英特爾超微半導體,還有其他超過20年的期間,65家不同的公司被第一代或者第二代創建於矽谷中,多可追朔到肖克利半導體的團隊。[5]

肖克利不曾利用管理來取得四層二極體在商業上的成功,儘管他制訂出許多技術細節並且於1960年代全面生產。積體電路的出現允許了需要用數個電晶體來製作的開關,實現整合在單一"晶片"上,因此,終止了肖克利的設計中元件數量的優勢。[5]不過,公司裡真的還有一些其他成功的計劃,包含第一個太陽能電池的堅實理論研究,開發出具有前景並將基礎矽太陽能電池的效能上限提升到30%的肖克利-奎塞爾極限英语Shockley-Queisser limit[6]

相關條目[编辑]

參考[编辑]

文獻
引用
  1. ^ Kurt Hubner, "The Four-Layer Diode in the Cradle of Silicon Valley", Electrochemical Society Proceedings, Volume 98-1
  2. ^ "Historic Transistor Photo Gallery Photo Essay – Shockley 4 Layer Diodes"
  3. ^ Gerald W. Brock. The second information revolution. Harvard University Press. 2003: 88. ISBN 978-0-674-01178-6. 
  4. ^ David Plotz. The Genius Factory: The Curious History of the Nobel Prize Sperm Bank. Random House Digital. 2006: 90. ISBN 978-0-8129-7052-4. 
  5. ^ 5.0 5.1 Lécuyer 2006.
  6. ^ William Shockley and Hans J. Queisser, "Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar Cells", Journal of Applied Physics, Volume 32 (March 1961), pp. 510-519; doi:10.1063/1.1736034

外部連結[编辑]

坐标37°24′18″N 122°06′39″W / 37.4049544°N 122.1109664°W / 37.4049544; -122.1109664