薄膜電晶體

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薄膜電晶體(英语:Thin-Film Transistor,缩写:TFT)是場效應電晶體的種類之一,大略的製作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜,如半導體主動層、介電質和金屬電極層。

TFT是在基板(如是應用在液晶顯示器,則基板大多使用玻璃)上沉積一層薄膜當做通道區。

大部份的TFT是使用氫化非晶矽(a-Si:H)當主要材料,因為它的能階小於單晶矽(Eg = 1.12eV),也因為使用a-Si:H當主要材料,所以TFT大多不是透明的。另外,TFT常在介電、電極及內部接線使用銦錫氧化物(ITO),ITO則是透明的材料。

因為TFT基板不能忍受高的退火溫度,所以全部的沉積製程必須在相對低溫下進行。如化學氣相沉積物理氣相沉積(大多使用濺鍍技術)都是常使用的沉積製程。如要製作透明的TFT,第一個被研究出來的方法是使用氧化鋅材料,此項技術由俄勒岡州立大學的研究員於2003年時發表。[1]

很多人都知道薄膜電晶體主要的應用是TFT LCD液晶顯示器技術的一種。電晶體被作在面板裡,這樣可以減少各pixel間的互相干擾並增畫面穩定度。大略是從2004年開始,大部份便宜的彩色LCD螢幕都是使用TFT技術的。連在乳線和癌症X-ray檢查的數位X-ray攝影技術上也很常使用TFT面板。

新的AMOLED(主動陣列OLED)螢幕也內建了TFT層。

參見[编辑]

參考文獻[编辑]

  1. ^ Wager, John. OSU Engineers Create World's First Transparent Transistor. College of Engineering, Oregon State University, Corvallis, OR: OSU News & Communication, 2003. 29 July 2007 [1]