零电容随机存储器

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存储设备

零电容随机存储器英语Zero-capacitor random access memory,缩写:Z-RAM)是一种新型的动态随机存取存储器,是由Innovative Silicon公司基于SOI技術的浮体效应(Float body effect)研发的。该技术已经被超微半导体(AMD)许可用于未来的微处理器。Innovative Silicon宣称零电容随机存储器能够提供和六晶体管静态随机存取存储器(SRAM,常在缓存中应用)相似的存取速度,但是只使用了单一晶体管,因此能够提供更高的封装密度。

外部链接[编辑]