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高頻寬記憶體

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採用高頻寬記憶體的顯示卡橫截面概略圖,更多詳見矽穿孔工藝(TSV)

高頻寬記憶體(英文:High Bandwidth Memory,縮寫HBM)是超微半導體SK Hynix發起的一種基於3D堆疊工藝的高效能DRAM,適用於高記憶體頻寬需求的應用場合,像是圖形處理器、網路交換及轉發裝置(如路由器交換器)等。[1]首個使用HBM的裝置是AMD Radeon Fury系列顯示核心。[2][3]2013年10月HBM成為了JEDEC通過的工業標準,[4]第二代HBM —— HBM2,也於2016年1月成為工業標準,[5]NVIDIA在該年發表的新款旗艦型Tesla運算加速卡 —— Tesla P100、AMD的Radeon RX Vega系列IntelKnight Landing也採用了HBM2。

採用HBM的「Fiji」GPU(Radeon R9 Fury系列的核心代號)

參見[编辑]

參考資料[编辑]

  1. ^ ISSCC 2014 Trends page 118 "High-Bandwidth DRAM"
  2. ^ Smith, Ryan. The AMD Radeon R9 Fury X Review. Anandtech. 2 July 2015 [1 August 2016]. 
  3. ^ Morgan, Timothy Prickett. Future Nvidia ‘Pascal’ GPUs Pack 3D Memory, Homegrown Interconnect. EnterpriseTech. March 25, 2014 [26 August 2014]. Nvidia will be adopting the High Bandwidth Memory (HBM) variant of stacked DRAM that was developed by AMD and Hynix 
  4. ^ HIGH BANDWIDTH MEMORY (HBM) DRAM (JESD235), JEDEC, October 2013
  5. ^ JESD235a: High Bandwidth Memory 2. 2016-01-12. 

外部連結[编辑]