22纳米制程
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半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
0
10 µm
– 1971
00
6 µm
– 1974
00
3 µm
– 1977
1.5 µm
– 1981
00
1 µm
– 1984
800 nm
– 1987
600 nm
– 1990
350 nm
– 1993
250 nm
– 1996
180 nm
– 1999
130 nm
– 2001
0
90 nm
– 2003
0
65 nm
– 2005
0
45 nm
– 2007
0
32 nm
– 2009
0
22 nm
– 2012
0
14 nm
– 2014
0
10 nm
– 2016
00
7 nm
– 2018
00
5 nm
– 2020
未來
00
3 nm
~ 2022
00
2 nm
~ 2024
晶體管數量
互補式金屬氧化物半導體
半导体器件
(
多閘極電晶體
)
摩尔定律
晶體管數量
半导体
半导体产业
纳电子学
查
论
编
22
纳米
制程
是
半导体
制造
制程
的一个水平。自2012年4月开始22纳米的消费级CPU产品推出。
[1]
相比先前的制程,自22纳米制程开始,沟道长度不再成为最为重要的因素。
22纳米的后继制程是14纳米。
参考文献
[
编辑
]
^
IEEE Spectrum: The High-k Solution
.
[
2016-11-09
]
. (
原始内容
存档于2007-10-26).
先前
32纳米制程
半导体器件制造
制程
其後
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:
微技术
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