45纳米制程

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45纳米制程半导体制造制程的一个水平。自2007年后期,松下電器英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。[1]

芯片制造厂商使用High-k材料来填充栅极,目的是为了减少漏电。至2007年,IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。

具有45纳米制程的产品[编辑]

参考文献[编辑]

  1. ^ IEEE Spectrum: The High-k Solution. [2016-11-05]. (原始内容存档于2007-10-26). 
先前
65纳米制程
半导体器件制造制程 其後
32纳米制程