FinFET

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一个FinFET器件

FinFET,中文名有时称为鳍式场效应晶体管,是一种立体的场效应管。由加州大学伯克利分校胡正明教授发明,屬於多閘極電晶體

当晶体管的尺寸小于25纳米以下,传统的平面场效应管的尺寸已经无法缩小。FinFET的主要思想是将场效应管立体化。

2011年,英特尔已经推出商业化的22纳米FinFET。[1]

参考资料[编辑]

  1. ^ Wen-Chin Lee, Kedzierski, J. ,Takeuchi, H. ,Asano, K. ,Kuo, C. , Anderson, E., Tsu-Jae King,Bokor, J. , Chenming Hu.FinFET-a self-aligned double-gate MOSFET scalable to 20 nm:IEEE Transactions on Electron Devices,2000:2320 - 2325