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电可擦除可编程只读存储器

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放在美国一分硬币上的一枚SOT-23封装与正反面两枚超微型DFN封装的序列式EEPROM ,型号11LC160,容量16 kbit
一枚 4 Mbit (= 512 KB) 容量,型号 29C040 的 Flash EEPROM

EEPROM,或写作E2PROM,全称电可擦除可编程只读存储器 (英语:Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory),是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备。相比EPROM,EEPROM不需要用紫外线照射,也不需取下,就可以用特定的电压,来抹除芯片上的信息,以便写入新的数据

EEPROM有四种工作模式:读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时,芯片只需要Vcc低电压(一般+5V)供电。编程写入时,芯片通过Vpp(一般+25V, 较新者可能使用 12V 或 5V)获得编程电压,并通过PGM编程脉冲(一般50ms)写入数据。擦除时,只需使用Vpp高电压,不需要紫外线,便可以擦除指定地址的内容。为保证写入正确,在每写入一块数据后,都需要进行类似于读取的校验步骤,若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压,且写入时间也已有缩短。

历史[编辑]

1978年,Intel公司的George Perlegos在EPROM技术的基础上,改用薄的闸极氧化层,以便无需紫外光,芯片就可以用电气方式抹除自身的比特,因而开发出型号为2816的16kbit EEPROM。Perlegos与一些同事后来离开Intel,创立 Seeq Technology 公司后,在芯片上内置电荷泵(charge pump)以提供刻录时自身所需的高电压,因而推出只需5V电压的EEPROM,利于实施在线刻录(In-System Programming,ISP 或称 In-Circuit Programming,ICP)。[1]

EEPROM 组件的类型[编辑]

有的 EEPROM 是包含于其他组件中,为该组件的一部分。 例如:MCU 中可能包含用来存储程序或数据的 EEPROM、数字电位器(Digital Potentiometer)内也需要 EEPROM 来存储当前的设置值。

单独的 EEPROM 组件,其通信口通常可分为串行(serial)与并行(parallel)两类。除电源线外,串行通信口只使用1~4只接线来传递信号,所需接脚较并行式少,通常用来存储数据。运行用的程序则通常放在并行式的 EEPROM 中,以利访问。

序列式EEPROM[编辑]

  • Microwire 通信口(4线):型号为以 93 开头的系列。例:93C46
  • I2CTM 通信口(2线):型号为以 24 开头的系列。例:24LC02
  • SPI 通信口(3线):型号为以 25 开头的系列。例:25LC08
  • UNI/OTM通信口(1线):由 Microchip 公司出品,型号为以 11 开头的系列。
  • 1-Wire® 通信口(1线):由 Dallas / Maxim 公司出品。

并行式EEPROM[编辑]

型号通常为以 28 开头的系列。

至于型号通常为以 29 或 49 开头的系列,写入须以较大的区块为单位,此种存储器一般会使用 Flash (闪存/闪存)来称呼。至于能以较小单位(例如以字节)擦除或写入的则才以 EEPROM 称呼,以作区别。

世界主要制造商[编辑]

注释[编辑]

  1. ^ Rostky, George. Remembering the PROM knights of Intel. EE Times. July 3, 2002 [2010-04-21]. (原始内容存档于2007-09-29).