单结晶体管

单接合面电晶体 (Unijunction Transistor, 简称 UJT )，台湾称单接合面电晶体，是一种只具有一个 PN 接面的三端子半导体元件，三个端子分别是射极 (E)、基极一 (B1)、与基极二 (B2)。

构造与工作原理[编辑]

单接合面电晶体的基极通常是由棒状的、轻掺杂的 N 型矽质半导体构成，两端分别以欧姆接触连出 B1、B2 两基极端子。射极则是由重掺杂的 P 型矽质半导体构成。当射极开路时，两基极 B1、B2 间的电阻值称为“基极间电阻”。

工作时两基极给与偏压，当射极的电压高于射极所在的基极分压点上的电压加二极体的导通电压时，射极开始导通，由于基极只有轻掺杂，导通后对基极区域产生的调制作用，使电阻下降，而更有利于导通，因而产生负电阻效应。

UJT 的代表性型号有 2N2646 与东芝的 2SH21

PUT 的内部构造其实是一种具有四层半导体的闸流体，与 UJT 并不一样，只是具有类似的功能。 PUT 的三个端子是阳极 (Anode, A)、阴极 (Cathode, K)、与闸极 (Gate, G)。当阳极的电压超过闸极时发生导通，因此，借由改变闸极的电压，可以改变阳极的触发电压。

PUT 的代表性型号有 2N6027 与日本 NEC 的 N13T-1 (GE 的 D13T-1)

在1960年代至1970年代，单接合面电晶体在业馀爱好者的电子电路中很普遍，因为它可以用很简单的线路，只用一颗主动元件就作成弛张振荡器（例如方波振荡器）。但自从积体电路的使用逐渐普及后，更多的应用转而使用 555 定时器 IC。

除了作弛张振荡器之外，UJT 与 PUT 的另一主要用途是作为闸流体的触发控制。

在日本旧有的标准半导体编号中^[1]，原配予单接合面电晶体所使用的 2SH 字头，已改配予 N 通道 IGBT 使用^[2]。 2SH 编号的 UJT、PUT 在日本厂商中实已成废弃品类。

^ 日本工业标准 JIS-C-7012 个别半导体デバイスの形名（页面存档备份，存于互联网档案馆），最后修订版于1982年，1993年废止。
^ JEITA / EIAJ ED-4001A 个别半导体デバイスの形名（页面存档备份，存于互联网档案馆） (Type designation system for discrete semiconductor devices), 1993 年制定, 2005 年修订, 一般社団法人电子情报技术产业协会（JEITA: Japan Electronics and Information Technology Industries Association）发行。又注：JEITA 的前身是 EIAJ 日本电子机械工业会。