磷化铟镓
磷化铟镓（Indium gallium phosphide，简称InGaP）也被称为磷化镓铟（GaInP），是由磷、铟和镓组成的半导体。因为其电子速率比常见的矽及砷化镓要快，常用于高速或是高功率的电子元件中。
磷化铟镓常用在高电子移动率电晶体（HEMT）及异质结双极性晶体管（HBT）结构中，但也用在太空应用的高速率太阳能电池，若加入铝（AlGaInP合金）可以制作高亮度的橘红色、橘色、黄色及绿色发光二极体。
Ga0.5In0.5P是一种有特别重要性的合金，其晶格几乎和砷化镓相同，因此配合(AlxGa1-x)0.5In0.5，可以产生晶格对应的量子阱，可以作为红色的激光二极管，例如红色光，波长650nm的共振腔发光二极体，或是配合聚甲基丙烯酸甲酯塑胶光纤的垂直腔面发射雷射器。
Ga0.5In0.5P其能量接面是太阳能电池中砷化镓接面的二倍到三倍。近年发现磷化铟镓及砷化镓叠层的太阳能电池在AM0条件（太阳光在大气层外的平均照度，=1.35 kW/m2） 下，效率可以提升25%[1]。
另一个磷化铟镓的合金，其晶格匹配底层的砷化铟镓，用来制作高能量效率的磷化铟镓/砷化铟镓/锗三接面太阳电池。
磷化铟镓的磊晶生长可以依磷化铟镓的趋势成长，生成一般的材料，而不是任意分布的合金。这会改变该材料的带隙和其电子和光学性质。
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参考资料[编辑]
- E.F. Schubert "Light emitting diodes", ISBN 0-521-53351-1
外部链接[编辑]
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