FB-DIMM

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Fully Buffered DIMM(或FB-DIMM)是一种记忆体解决方案,用来增加记忆体系统的稳定性、速度、及容量密度。就传统而言,记忆体控制器上的资料线必须与每一个DRAM模组相连接,如此记忆体无论是拓宽存取介面的频宽或加快存取介面的速度,都会使介面的信号转差,如此不仅限制了速度的提升,也会限制记忆体系统的记忆空间提升,而FB-DIMM则是用不同的方式手法来解决这个问题。JEDEC组织已经正式敲定发布FB-DIMM的规范标准。

FB-DIMM的架构图

技术[编辑]

Fully Buffered DIMM架构新创立了一颗先进记忆体缓冲(Advanced Memory Buffer,AMB)晶片,这颗晶片被安插在记忆体控制器与记忆体模组间,且与“传统DRAM所用的并列汇流排架构”不同的,FB-DIMM是以串列介面来连接AMB晶片与记忆体控制器,如此可以在不增加记忆体控制器的线路数下提升记忆体的频宽,同时具有技术可行性。使用此架构后,记忆体控制器不需要再直接将资料写入记忆体模组,而是透过AMB晶片来完成这项工作。此外AMB也能以缓冲方式来抵补信号劣化并重新发送信号。除此之外,AMB也能提供错误更正,而不需要偏劳到记忆体控制器或处理器,另外也能提供“位元通道容错移转校正(Bit Lane Failover Correction)”能力,能查出哪一条资料路径损坏,并在运作过程中将该坏损路径移除不用,如此能大幅减少命令资讯传输、位址资讯传输的错误。

此外,因为读取及写入都已经透过缓冲处理,所以记忆体控制器可同时执行读取与写入。如此不仅接线更简化、记忆体频宽更大,且就理论而言,记忆体控制器可以不用在意与理会所使用的是何种记忆体晶片,可以是以前的DDR2抑或是现在的DDR3,理论上可直接替换。不过,Fully Buffered DIMM的作法也有其不利处,特别是在功耗(Power Consumption)及资料存取需求的延迟Latency英语Latency,俗称:Lag)上。然而此方式应是未来最无顾虑的记忆体效能提升法。

外部链接[编辑]