雙電晶體隨機存儲器

雙電晶體隨機存儲器（英語：Twin Transistor random access memory，縮寫：TTRAM）是一種新型的計算機存儲設備，由瑞薩電子研發。

在概念上，雙電晶體隨機存儲器類似傳統的單電晶體、單電容的動態隨機存取存儲器（DRAM），但是通過SOI加工技術中固有的浮體效應（Float body effect），從而避免使用電容。

外部連結

• Renesas develops capacitor-less TTRAM（頁面存檔備份，存於互聯網檔案館）
• Renesas Technology develops capacitorless twin-transistor RAM, enabling faster, more power-efficient embedded memory for SoC devices