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电子式可擦除可编程只读存储器

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放在美国一分硬币上的一枚SOT-23封装与正反面两枚超微型DFN封装的序列式EEPROM ,型号11LC160,容量16 kbit
一枚 4 Mbit (= 512 KB) 容量,型号 29C040 的 Flash EEPROM

电子式可擦除可编程只读存储器 (英语:Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory,简称:EEPROME2PROM),是一种只读存储器ROM),可以通过电子方式多次复写。相比EPROM, EEPROM 不需要用紫外线照射,也不需取下,就可以用特定的电压,来抹除晶片上的资讯,以便写入新的数据, EEPROM 属于SPD(串行存在检测)技术的一种延伸。

EEPROM分为四种工作模式:读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时,晶片只需要Vcc低电压(一般+5V)供电。而在编程写入时,晶片会通过Vpp(一般+25V, 有时较新者会使用 +12V 或 +5V)获得编程电压,并通过PGM编程脉冲(一般为50ms)写入数据。擦除时,只需使用Vpp高电压,不需要紫外线照射,便可以擦除指定地址中的内容。为保证写入正确,每写入一块数据后,都需要进行类似于读取的校验步骤,若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压,且写入时间也已有缩短。在民用的DDR SDRAM及其主流后续产品中,一般 EEPROM 主要用于保存内存的开发者资讯、生产时间、内存资讯、通讯协议、既定内存频率、供电电压、供电电流、物理消息以及内存XMP等消息,且电脑会在开机自检(Power-On Self-Test;POST)时会读取这些消息以保持电脑的正常开机。

闪存是EEPROM的后续延伸。

历史

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1978年,Intel公司的George Perlegos在EPROM技术的基础上,改用薄的闸极氧化层,以便无需紫外光,晶片就可以用电气方式抹除自身的位元,因而开发出型号为2816的16kbit EEPROM。Perlegos与一些同事后来离开Intel,创立 Seeq Technology 公司后,在晶片上内建电荷泵(charge pump)以提供刻录时自身所需的高电压,因而推出只需5V电压的EEPROM,利于实施在线刻录(In-System Programming,ISP 或称 In-Circuit Programming,ICP)。[1]

EEPROM 组件的类型

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有的 EEPROM 是包含于其他组件中,为该组件的一部分。 例如:MCU 中可能包含用来存储程序或资料的 EEPROM、数码电位器(Digital Potentiometer)内也需要 EEPROM 来存储目前的设置值。

单独的 EEPROM 组件,其通信口通常可分为串行(serial)与并行(parallel)两类。除电源线外,串行通信口只使用1~4只接线来传递信号,所需接脚较并行式少,通常用来存储资料。执行用的程序则通常放在并行式的 EEPROM 中,以利存取。

序列式EEPROM

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  • Microwire 通信口(4线):型号为以 93 开头的系列。例:93C46
  • I2CTM 通信口(2线):型号为以 24 开头的系列。例:24LC02
  • SPI 通信口(3线):型号为以 25 开头的系列。例:25LC08
  • UNI/OTM通信口(1线):由 Microchip 公司出品,型号为以 11 开头的系列。
  • 1-Wire® 通信口(1线):由 Dallas / Maxim 公司出品。

并行式EEPROM

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型号通常为以 28 开头的系列。

至于型号通常为以 29 或 49 开头的系列,写入须以较大的区块为单位,此种存储器一般会使用 Flash (闪存/闪存)来称呼。至于能以较小单位(例如以字节)擦除或写入的则才以 EEPROM 称呼,以作区别。

世界主要制造商

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参考文献

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  1. ^ Rostky, George. Remembering the PROM knights of Intel. EE Times. July 3, 2002 [2010-04-21]. (原始内容存档于2007-09-29).