45奈米製程

45奈米製程是半導體製造製程的一個水平。自2007年後期，松下電器和英特爾開始大量製造45奈米的晶片產品。^[1]

晶片製造廠商使用High-k材料來填充柵極，目的是為了減少漏電。至2007年，IBM和英特爾宣布他們採用了金屬柵極解決方案。

2020年，華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠，預期工廠將從低端45奈米晶片做起。

具有45奈米製程的產品[編輯]

先前 65奈米製程	半導體器件製造製程	其後 32奈米製程

半導體器件製造

金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977 1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
電晶體數量互補式金屬氧化物半導體半導體器件（多閘極電晶體）摩爾定律電晶體數量半導體半導體產業納電子學
閱論編