硅穿孔

维基百科,自由的百科全书
跳转至: 导航搜索

硅穿孔英语Through Silicon Via, 常簡寫為TSV,也稱做硅通孔)是一种穿透硅晶圆芯片的垂直互连。

TSV 是一種讓3D IC封裝遵循摩爾定律(Moore's Law)的互連技術,TSV可堆疊多片晶片,其設計概念來自於印刷電路板(PCB), 在晶片鑽出小洞(製程又可分為先鑽孔及後鑽孔兩種, Via Fist, Via Last),從底部填充入金屬, 矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鑽孔(via),再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質填滿。此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能。

TSV技术在三维封装三维集成电路中具有重要应用,對於跨入3D IC相當具有優勢。2006年4月,韓國三星表示已成功將TSV技術應用在“晶圓級堆疊封裝”(Wafer level process stack package, WSP)NAND Flash堆疊的技術堆疊八個2Gb NAND Flash晶片,以雷射鑽孔打造出TSV製程,高度是0.56mm。2007年4月三星公佈其以WSP技術應用在DRAM的產品,共堆疊了4顆512Mb的DRAM晶片。到目前為止,晶片商採用矽穿孔技術的商業行為有限,僅有CMOS(CIS)影像感測器、MEMS等少數幾種。

參見[编辑]