赤崎勇：修订间差异
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2014年5月16日 (五) 08:02的版本
| 赤崎勇 赤崎 勇（あかさき いさむ） | |
|---|---|
| 出生 | 1929年1月30日 大日本帝國鹿兒島縣 |
| 国籍 |  日本 |
| 母校 | 京都大學 |
| 知名于 | 開發氮化鎵結晶化技術，完成世界第一個高亮度的藍色發光二極體 |
| 奖项 | 中日文化獎 (1991) Heinrich Welker Gold Medal (1995) IEEE Lasers and Electro-Optics Society's Engineering Achievement Award (1996) Laudise Prize (1998) IEEE Jack A. Morton Award (1998) British Rank Prize (1998) 朝日獎 (2000) 京都獎 (2009) IEEE愛迪生獎章 (2011) 日本學士院獎・恩賜獎 (2014) |
| 科学生涯 | |
| 研究领域 | 物理學 |
| 机构 | 松下電器 名城大學 名古屋大學 |
| 日語寫法 | |
|---|---|
| 日語原文 | 赤崎 勇 |
| 假名 | あかさき いさむ |
| 平文式罗马字 | Akasaki Isamu |
赤崎勇（日语：赤崎 勇／あかさき いさむ Akasaki Isamu ?，1929年1月30日—），日本工學、物理學家，曾任松下電器研究員，現任名城大學終身教授、名古屋大學特聘教授。文化勲章得主、文化功勞者。
赤崎勇開發了氮化鎵結晶化技術，並完成世界第一個高亮度的藍色發光二極體。名古屋大學東山校區特別開闢「赤崎記念研究館」以紀念其功績（2006年10月20日開館）。
生平
京都大學理學部畢業後，陸續服務於神戶工業（現富士通天）、名古屋大學、松下電器等單位。
主要成就
- 成功以低溫沉積緩衝層技術生產高品質的GaN晶體（1986年）
- p型GaN結晶化成功，並以GaN的pn構成完成了藍色發光二極體（1989年）
- 將GaN置於室溫之下並讓他暴露於紫外線所作的誘導放出成功（1990年）
- GaN/GalnN的量子多重化電流注入進行的誘導放射成功（1995年）
榮譽
獲獎
- 1989年 日本結晶成長学会論文賞
- 1991年 中日文化獎[1]
- 1994年 光電子學會議特別獎
- 1994年 日本結晶成長學會創立20周年記念技術貢獻獎
- 1995年 化合物半導體國際研討會獎
- 1995年 Heinrich Welker Gold Medal
- 1996年 IEEE Lasers and Electro-Optics Society's Engineering Achievement Award
- 1998年 井上春成獎
- 1998年 Laudise Prize
- 1998年 應用物理學會會誌獎
- 1998年 IEEE Jack A. Morton Award
- 1998年 British Rank Prize
- 1999年 Solid State Science and Technology Award
- 2000年 朝日獎[2]
- 2000年 Toray科学技術獎
- 2002年 應用物理學會業績獎
- 2002年 武田獎
- 2002年 藤原獎
- 2003年 日本學術會議会長賞
- 2003年 SSDM Award
- 2009年 京都獎（尖端技術部門）
- 2011年 IEEE愛迪生獎章[3]
- 2011年 科學技術振興機構知識財產特別貢獻獎
- 2014年 日本學士院獎・恩賜獎
著作
- 電気・電子材料（1985年9月、朝倉書店）
- III-V族化合物半導体（1994年5月、培風館）
- 青色発光デバイスの魅力―広汎な応用分野を開く（1997年4月、工業調査会）
- III族窒化物半導体（1999年12月、培風館）
註釋
- ^ 中日文化賞：第41回-第50回受賞者. 中日新聞. [2009-10-26].
- ^ 朝日賞：過去の受賞者. 朝日新聞. [2009-11-4].
- ^ 赤﨑勇教授に日本人2人目のエジソン賞名城大学プレスリリース
赤崎勇氏にエジソン賞＝日本２人目、青色ＬＥＤで貢献時事通信