電子注入增強柵晶體管

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電子注入增強柵晶體管(Injection enhanced gate transistor),簡稱IEGT,是電子半導體器件的一種。具有功率大、體積小、效率高、耐壓值高(可達4kw以上)、節能性高等特性,並同時具備GTOIGBT元件的一些優點。

IEGT最先由日本東芝於1993年所研發,並以注入式增強結構(Injection Enhanced,簡稱IE)技術,取得IEGT器件開發與生產專利。也使得東芝成為IEGT器件的主要生產與供應商。

相關應用[编辑]

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