同位素
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衰變
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丰度
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半衰期 (t1/2)
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方式
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能量 (MeV)
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產物
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227Th
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痕量
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18.693 天
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α
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6.147
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223Ra
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228Th
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痕量
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1.9125 年
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α
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5.520
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224Ra
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CD
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44.723
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208Pb
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229Th
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痕量
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7916 年
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α
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5.168
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225Ra
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229mTh
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人造
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7 微秒
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IT
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0.0000082
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229Th
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230Th
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0.02%
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7.54×104 年
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α
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4.770
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226Ra
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231Th
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痕量
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25.52 小時
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β−
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0.391
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231Pa
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232Th
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99.98%
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1.40×1010 年
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α
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4.082
|
228Ra
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SF
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—
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—
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233Th
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痕量
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21.83 分钟
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β−
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1.242
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233Pa
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234Th
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痕量
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24.107 天
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β−
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0.274
|
234Pa
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