威廉·加德纳·普凡
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威廉·加德纳·普凡（William Gardner Pfann，昵称"比尔"（Bill）[1]，1917年10月27日—1982年10月22日）是贝尔实验室的发明家与材料科学家。普凡因开发半导体产业用的区域熔炼技术而赫赫有名。贝尔实验室的官方历史这么记载道："由威廉·加德纳·普凡开发的区域精炼是划时代的发明...它是让锗与硅中的杂质能被吾人控制的重大贡献"（Timely invention of zone refining by W.G.Pfann ... was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control.）。[2]
早年[编辑]
普凡生于纽约市布鲁克林。1935年普凡年仅18岁就展现了对材料科学的才能，没有大学学历就进入了贝尔实验室的化学研究部门。后来到柯柏联盟学院的夜校上学，才于1940年取得化学工程的学士学位。[3]:198
在贝尔实验室，普凡加入威廉·肖克利意图以半导体取代真空管的工作。本来他们采用锗，1945年用锗做出了高逆压整流器。[3]:124 普凡想出了最早的一种点接式晶体管，他改良了西方电气的1N26型点接二极管使其成为三极放大器，后来被称为A型晶体管（Type A transistor）。[4]
突破[编辑]
晚年[编辑]
1973年，普凡成为第一位摩尔杰出成就固态科学科技奖章的受奖者。 1975年，普凡被推选为美国国家科学院院士。1976年获美国物理联合会授予麦克格罗迪新材料奖。
注记[编辑]
- ^ 存档副本. [2017-10-22]. （原始内容存档于2013-07-09）.
- ^ S. Millman editor (1983) A History of Engineering and Science in the Bell System, volume 4: Physical Sciences, p 580, 贝尔实验室 ISBN 0-932764-03-7
- ^ 3.0 3.1 Riordan, Michael; Lillian Hoddeson. Crystal fire : the birth of the information age 1st. New York: Norton. 1997. ISBN 0-393-04124-7.
- ^ F.M. Smits (1985) A History of Engineering and Science in the Bell System, volume 6: Electronics Technology, p 12, Bell Labs, ISBN 0-932764-07-X
参考文献[编辑]
- Kenneth A. Jackson, Harry J. Leamy & Richard S. Wagner (February 1983) "William G. Pfann", 今日物理 36:88.
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