伦敦穿透深度
外观
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在超导体中,伦敦穿透深度(通常记作或)是指磁场穿进超导体中,并减弱为超导体表面处强度之时的深度。[1] 伦敦穿透深度一般为50至500奈米。
伦敦穿透深度是由伦敦方程和安培定律推导得出的。[1] 如果考虑一个超导介质占据x0,而弱外磁场B0作用在z方向。那么,超导体内的磁感应强度为:
其中, 可以视为磁感应强度减弱原本时的深度,具体表达为:
- ,[1]
其中, 为带电物体的质量,为电荷, 为数量密度。
参考
[编辑]- ^ 1.0 1.1 1.2 1.3 Kittel, Charles. Introduction to Solid State Physics. John Wiley & Sons. 2004: 273–278. ISBN 978-0-471-41526-8.